[发明专利]一种降低表面粗糙度的低温多晶硅的制备方法及一种低温多晶硅在审
| 申请号： | 201510724613.4 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105261592A | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 任维 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/268;H01L21/324;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 表面 粗糙 低温 多晶 制备 方法 | ||
1.一种降低表面粗糙度的低温多晶硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供一表面形成有非晶硅层的基板，对所述基板进行表面预处理，以在所述非晶硅层上形成一均匀氧化层；
(2)对所述表面预处理后的基板进行第一次准分子激光退火处理，使所述非晶硅层形成多晶硅层；
(3)采用HF溶液对所述多晶硅层进行酸清洗，以除去所述多晶硅层上的凸起物；
(4)对酸清洗后的所述多晶硅层进行第二次准分子激光退火处理，得到低温多晶硅。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅的制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(4)中，所述准分子激光退火处理为采用波长为308nm的准分子激光进行照射。
3.如权利要求1所述的低温多晶硅的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述第二次准分子激光退火处理中，所用准分子激光的能量密度为350-440W/cm2。
4.如权利要求1所述的低温多晶硅的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述第一次准分子激光退火处理中，所用准分子激光的能量密度为440-465W/cm2。
5.如权利要求1-4任一项所述的低温多晶硅的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述HF溶液的浓度为0.5-2％，采用HF溶液的清洗时间为20-40s。
6.如权利要求1所述的低温多晶硅的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述对所述基板进行表面预处理，包括：采用HF溶液和臭氧水依次清洗所述基板。
7.如权利要求6所述的低温多晶硅的制备方法，其特征在于，所述HF溶液的浓度为0.5-2％，采用HF溶液的清洗时间为20-40s。
8.如权利要求6所述的低温多晶硅的制备方法，其特征在于，所述臭氧水的浓度为15-25ppm，采用臭氧水的的清洗时间为40-70s。
9.如权利要求1所述的低温多晶硅的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述基板与所述非晶硅层之间还包括一缓冲层，所述缓冲层由氮化硅、氧化硅依次沉积而成。
10.如权利要求1-9任一项所述的低温多晶硅的制备方法制得的低温多晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
