[发明专利]主动元件阵列基板

权利要求书

1.一种主动元件阵列基板，包括：

一第一扫描线；

一第一数据线以及一第二数据线；

一第一主动元件，包括：

一第一栅极，与该第一扫描线电性连接；

一第一半导体图案层，与该第一栅极重叠设置；以及

一第一源极以及一第一漏极，与该第一半导体图案层电性连接，且该第一源极与该第一数据线电性连接；

一第一像素电极，与该第一主动元件的该第一漏极电性连接；

一第二主动元件，包括：

一第二栅极，与该第一扫描线电性连接；

一第二半导体图案层，与该第二栅极重叠设置；以及

一第二源极以及一第二漏极，与该第二半导体图案层电性连接，且该第二源极与该第二数据线电性连接；

一第二像素电极，与该第二主动元件的该第二漏极电性连接；以及

一第一遮蔽图案层，与该第一半导体图案层以及该第二半导体图案层重叠，其中该第一遮蔽图案层与该第二数据线重叠且不与该第一数据线重叠。

2.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，更包括：

一第二遮蔽图案层，与该第一遮蔽图案层分离开来，其中该第二遮蔽图案层与该第一数据线重叠且不与该第二数据线重叠；以及

一第三遮蔽图案层，与该第一遮蔽图案层及该第二遮蔽图案层分离开来，其中该第三遮蔽图案层与该第二半导体图案层重叠且不与该第一数据线以及该第二数据线重叠。

3.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该第一数据线的极性与该第二数据线的极性不相同。

4.如权利要求3所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该第一遮蔽图案层与该第一半导体图案层之间具有一第一电容，而该第一遮蔽图案层与该第二半导体图案层之间具有一第二电容。

5.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该第一半导体图案层为一第一U形半导体图案层，该第一U形半导体图案层的两端位于该第一扫描线的一侧，且该第一U形半导体图案层的一中心部位于该第一扫描线的另一侧，而该第二半导体图案层为一第二U形半导体图案层，该第二U形半导体图案层的两端位于该第一扫描线的一侧，且该第二U形半导体图案层的一中心部位于该第一扫描线的另一侧。

6.如权利要求5所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该第一主动元件以及该第二主动元件分别为一双栅极薄膜晶体管。

7.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该第一半导体图案层为一U形半导体图案层，该U形半导体图案层的两端位于该第一扫描线的一侧，且该U形半导体图案层的一中心部位于该第一扫描线的另一侧，而该第二半导体图案层为一L形半导体图案层，该L形半导体图案层的一端位于该第一扫描线的一侧，且该L形半导体图案层的另一端位于该第一扫描线的另一侧。

8.一种主动元件阵列基板，其特征在于，包括：

一第一扫描线；

一第一数据线以及一第二数据线；

一第一主动元件，包括：

一第一栅极，与该第一扫描线电性连接；

一第一半导体图案层，与该第一栅极重叠设置；以及

一第一源极以及一第一漏极，与该第一半导体图案层电性连接，且该第一源极与该第一数据线电性连接；

一第一像素电极，与该第一主动元件的该第一漏极电性连接；

一第二主动元件，包括：

一第二栅极，与该第一扫描线电性连接；

一第二半导体图案层，与该第二栅极重叠设置；以及

一第二源极以及一第二漏极，与该第二半导体图案层电性连接，且该第二源极与该第二数据线电性连接；

一第二像素电极，与该第二主动元件的该第二漏极电性连接；以及

一遮蔽图案层，与该第一半导体图案层重叠，其中该第二半导体图案层不与任何遮蔽图案层重叠。

9.如权利要求8所述的主动元件阵列基板，其特征在于，更包括：

一第一颜色滤光图案层，对应该第一像素电极设置；以及

一第二颜色滤光图案层，对应该第二像素电极设置，其中该第一颜色滤光图案层为红色或绿色滤光图案层，且该第二颜色滤光图案层为蓝色滤光图案层。