[发明专利]半导体激光器及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光器，包含：

p型半导体基板；

设置于所述半导体基板之上的凸起部分；

设置于所述凸起部分的两侧的块层；

其中所述凸起部分具有：

形成于所述半导体基板之上的p型化合物半导体层；

形成于所述p型化合物半导体层之上的有源层；以及

形成于所述有源层之上的n型化合物半导体层，并且

其中所述块层具有：

形成于所述凸起部分的侧表面之上以及于所述半导体基板之上 的包含p型化合物半导体的p型块层；

形成于所述p型块层之上的第一电阻层；以及

形成于所述第一电阻层之上的包含n型化合物半导体的n型块 层，并且

其中所述第一电阻层具有比所述p型块层的电阻大的电阻。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，

其中所述第一电阻层是铁(Fe)已经被引入其内的化合物半导体。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，包含：

形成于所述n型块层之上的第二电阻层。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器，

其中所述第二电阻层是铁(Fe)已经被引入其内的化合物半导体。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，

其中所述p型块层的厚度为0.2μm或更小。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器，

其中所述p型块层的厚度为0.1μm或更小。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器，

其中所述p型化合物半导体层和所述p型块层中的每个都是包含p 型杂质的InP，并且

其中所述n型化合物半导体层和所述n型块层中的每个都是包含n 型杂质的InP，并且

其中所述第一电阻层是铁(Fe)已经被引入其内的InP。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器，包含：

形成于所述凸起部分和所述块层之上的包含n型化合物半导体的 层，

其中第一电极形成于所述层之上，并且

其中第二电极形成于所述半导体基板的背表面内。

9.根据权利要求1所述的半导体激光器，

其中所述n型化合物半导体层覆盖着所述有源层的侧表面。

10.根据权利要求9所述的半导体激光器，

其中所述块层包含选择性地生长于所述半导体基板之上的半导体 层。

11.一种半导体激光器的制造方法，包括以下步骤：

(a)通过在p型半导体基板之上按照以下顺序自下而上形成p型 化合物半导体层、有源层和n型化合物半导体层来形成层合膜；

(b)通过蚀刻所述层合膜来形成凸起部分；以及

(c)在所述凸起部分两侧的所述半导体基板之上形成块层，

其中所述步骤(c)包括以下步骤：

(c1)在所述凸起部分的侧表面之上以及在所述半导体基板之上形 成包含p型化合物半导体的p型块层；

(c2)在所述p型块层之上形成具有比所述p型块层的电阻大的电 阻的第一电阻层；以及

(c3)在所述第一电阻层之上形成包含n型化合物半导体的n型块 层。

12.根据权利要求11所述的半导体激光器的制造方法，

其中所述p型块层的厚度为0.1μm或更小。

13.根据权利要求11所述的半导体激光器的制造方法，

其中所述p型化合物半导体层和所述p型块层中的每个都是包含p 型杂质的InP，并且

其中所述n型化合物半导体层和所述n型块层中的每个都是包含n 型杂质的InP，并且

其中所述第一电阻层是铁(Fe)已经被引入其内的InP。