[发明专利]有机硅树脂、树脂组合物、树脂膜、半导体器件和制造方法

说明书

包含由式(1)表示的构成单元并且具有3,000‑500,000的Mw的有机硅树脂含有：10‑50wt％的(A‑1)具有10‑40wt％的有机硅含量(所述有机硅含量是合成有机硅树脂的含硅氧烷结构单元的单体在所用合成单体中占的重量分数)的第一有机硅树脂和(A‑2)具有50‑80wt％的有机硅含量(所述有机硅含量是合成有机硅树脂的含硅氧烷结构单元的单体在所用合成单体中占的重量分数)的第二有机硅树脂。包含有机硅树脂的树脂组合物能够以膜形式形成，并且其具有令人满意的对于大尺寸/薄晶片的覆盖或封装性能。树脂组合物或树脂膜确保令人满意的粘合性、低翘曲和晶片保护性。该树脂膜可用于晶片级包装。

相关申请的交叉引用

本非临时申请在35U.S.C.§119(a)下要求于2014年10月30日在日本提交的专利申请No.2014-221102的优先权，由此通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

本发明涉及有机硅树脂、树脂组合物和树脂膜以及半导体器件和制造方法。

背景技术

微电子或半导体器件的制造中，向较大直径和减小厚度的晶片快速发展。存在着对于能够以晶片级将器件封装的技术的需求。尽管将固体环氧树脂组合物传递成型的技术是常规的，但在WO 2009/142065中提出了用于将液体环氧树脂组合物压缩成型的技术。

由于使树脂流入窄间隙中，因此传递成型技术能够引起配线变形。随着封装面积变得较大，更可能发生填充不足。压缩成型技术难以在晶片的端部精确地控制成型范围。而且，将液体封装树脂进料到成型机中时不容易使该液体的流动和物理性能最优化。随着近来晶片向较大直径和减小的厚度的转变，在现有技术中并不值得注意的成型后晶片的翘曲成为问题。也需要较好的晶片保护性。希望具有这样的晶片成型材料，其能够每次封装整个晶片而没有产生包括晶片表面处的填充不足的问题，并且显示成型后最小的翘曲和令人满意的晶片保护性。

引用列表

专利文献1：WO 2009/142065

发明内容

本发明的目的是提供树脂组合物和树脂膜，其能够每次封装整个晶片(即，晶片成型)，在大直径/薄晶片上可有效地成型，成型后提供最小的翘曲和令人满意的晶片保护性，确保高效的成型工艺，并因此适合晶片级包装。另一目的是提供用于该树脂组合物和树脂膜的有机硅树脂；用该树脂膜覆盖的半导体器件；和该半导体器件的制造方法。

在一个方面，本发明提供包含由组成式(1)表示的构成单元并且具有3,000-500,000的重均分子量的有机硅树脂，其含有：(A-1)第一有机硅树脂，其具有10-40重量％的有机硅含量，所述有机硅含量是合成有机硅树脂的含硅氧烷结构单元的单体在所用合成单体中占的重量分数，和(A-2)第二有机硅树脂，其具有50-80重量％的有机硅含量，所述有机硅含量是合成有机硅树脂的含硅氧烷结构单元的单体在所用合成单体中占的重量分数，第一有机硅树脂(A-1)的重量含量为有机硅树脂的总重量的10-50重量％，

其中R¹-R⁴各自独立地为一价C₁-C₈烃基，不包括R³和R⁴同时为甲基，m和n各自为0-300的整数，a和b为正数，a+b＝1，X为具有通式(2)或(3)的二价连接基团，表示式(2)的基团的摩尔的c和表示式(3)的基团的摩尔的d在0/1≤d/c≤1/1的范围内。

其中V为选自下述的二价有机基团：