[发明专利]一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法在审
| 申请号： | 201510725990.X | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105424763A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王超;徐豹;栾春红;梁莹林;姜晶;杨萍;伍思昕 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 氧化 锡气敏 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：将SnO2粉末置于真空管式炉中，在惰性气氛下升温至200～600℃，保温30～60min；
步骤2：保持真空管式炉内温度不变，同时通入流量为10～100mL/min的惰性气体和流量为20～150mL/min的乙炔气体，至通入的乙炔的体积与SnO2的质量的比为20～3000mL/g时，停止通入乙炔，并维持惰性气体流量不变，以3～10℃/min的降温速率冷却到室温，即得到碳包覆的SnO2颗粒粉末；
步骤3：将步骤2得到的碳包覆SnO2颗粒粉末置于真空管式炉内，在惰性气氛下300～800℃退火处理1～12h，即得到本发明所述碳修饰SnO2纳米气敏材料。
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