[发明专利]半桥驱动电路

权利要求书

1.一种半桥驱动电路，包括上半桥驱动信号放大输出电路以及下半桥驱动信号放大输出电路，其特征是：所述上半桥驱动信号放大输出电路包括三极管Q11H、三极管Q12H以及三极管Q13H；所述三极管Q11H的基极端与限流电阻R12H的一端连接，限流电阻R12H的另一端与上拉电阻R11H的一端、滤波电容C11H的一端连接，所述滤波电容C11H的另一端接地，上拉电阻R11H的另一端与第一电压连接，且限流电阻R12的另一端还与控制信号输入端U+连接；

三极管Q11H的发射极通过分压电阻R13H接地，三极管Q11H的集电极端与分压电阻R14H的一端以及三极管Q12H的基极端连接，所述分压电阻R14H的另一端与自举电路（30）连接，三极管Q12H的集电极端分别与反向保护二极管D11H的阳极端、三极管Q13H的基极端以及限流电阻R15H的一端连接，三极管Q12H的发射极端与分压电阻R14H的另一端、限流电阻R18H的一端以及开关MOSFET管Q14H的源极端连接；

限流电阻R18H的另一端与限流电阻R17H的一端、开关MOSFET管Q14H的栅极端以及开关MOSFET管Q15H的栅极端连接，限流电阻R17H的另一端与限流电阻R16H的一端以及三极管Q13H的发射极端连接，限流电阻R16H的另一端与反向保护二极管D11H的阴极端连接，三极管Q13H的集电极端、限流电阻R15H的另一端均与开关MOSFET管Q15H的源极端连接，且三极管Q13H的集电极端、限流电阻R15的另一端以及开关MOSFET管Q15H的源极端相互连接后形成驱动电路连接端；

开关MOSFET管Q14H的漏极端与驱动电阻R19H的一端连接，驱动电阻R19H的另一端与驱动电阻R20H的一端连接，驱动电阻R20H的另一端与开关MOSFET管Q15H的漏极端连接，且驱动电阻R19H的另一端与驱动电阻R20H的一端相互连接后形成上半桥驱动信号输出端GUH。

2.根据权利要求1所述的半桥驱动电路，其特征是：所述第一电压为3.3V电压，三极管Q11H为NPN三极管，三极管Q12H以及三极管Q13H为PNP三极管。

3.根据权利要求1所述的半桥驱动电路，其特征是：所述自举电路（30）包括反向二极管D12以及电解电容C12，所述反向二极管D12的阳极端与第二电压连接，反向二极管D12的阴极端与分压电阻R14H的另一端、三极管Q12H的发射极端、开关MOSFET管Q14H的源极端以及电解电容C12的正端连接，电解电容C12的负端与电机相线连接端连接。

4.根据权利要求1所述的半桥驱动电路，其特征是：所述下半桥驱动信号放大输出电路包括三极管Q11L、三极管Q12L以及三极管Q13L；所述三极管Q11L的基极端与驱动电阻R12L的一端连接，驱动电阻R12L的另一端与上拉电阻R11L的一端以及滤波电容C11L的一端连接，滤波电容C11L的另一端接地，上拉电阻R11L的另一端与第三电压连接，且驱动电阻R12L的另一端还与控制信号输入端U-连接；

三极管Q11L的发射极端通过分压电阻R13L接地，三极管Q11L的集电极端与分压电阻R14L的一端以及三极管Q12L的基极端连接，分压电阻R14L的另一端与三极管Q12L的发射极端、限流电阻R18L的一端、开关MOSFET管Q14L的源极端以及第四电压连接，三极管Q12L的集电极端与反向保护二极管D11L的阳极端、三极管Q13L的基极端以及限流电阻R15L的一端连接，限流电阻R15L的另一端以及三极管Q13L的集电极端均接地，反向保护二极管D11L的阴极端与限流电阻R16L的一端连接，限流电阻R16L的另一端限流电阻R17L的一端、三极管Q13L的发射极端连接，限流电阻R17L的另一端与限流电阻R18L的另一端、开关MOSFET管Q14L的栅极端以及开关MOSFET管Q15L的栅极端连接；

开关MOSFET管Q14L的漏极端与驱动电阻R19L的一端连接，驱动电阻R19L的另一端与驱动电阻R20L的一端连接，且驱动电阻R19L的另一端与驱动电阻R20L的一端相互连接后形成下半桥驱动信号输出端GUL，驱动电阻R20L的另一端与开关MOSFET管Q15L的漏极端连接，开关MOSFET管Q15L的源极端接地。

5.根据权利要求4所述的半桥驱动电路，其特征是：所述第三电压为3.3V，第四电压为12V~15V。