[发明专利]芯片的启动电路、LED驱动器、LED驱动电路及芯片的启动方法

权利要求书

1.一种芯片的启动电路，其特征在于，包括：一采样模块、一基准模块、一比较模块、一反馈控制模块和一启动电流控制模块；

所述采样模块用于对芯片的启动电路的外部电源电压进行采样以获得采样电压，并且将所述第一采样电压传送至所述比较模块的第一输入端；

所述基准模块用于提供一基准电压，并且将所述基准电压传送至所述比较模块的第二输入端；

所述比较模块用于接收所述采样电压和所述基准电压，并且对所述采样电压和所述基准电压进行比较，以及将比较结果传送至所述反馈控制模块；

所述反馈控制模块根据所接收到的比较结果，输出一反馈控制信号，以对所述启动电流控制模块进行控制；

当所述芯片的启动电路的外部驱动电路提供一高电压时，通过所述启动电流控制模块对所述芯片的电源电压进行充电；同时所述启动电流控制模块对所述芯片的电源电压的充电电流进行控制，以使所述充电电流由大至小逐渐变化，且使所述芯片的电源电压在启动阶段相应地由小至大逐渐变化。

2.根据权利要求1所述的芯片的启动电路，其特征在于，当所述反馈控制信号为一低电平信号时，控制所述启动电流控制模块正常工作；而当所述反馈控制信号为一高电平信号时，控制所述启动电流控制模块禁止工作，以使所述电源电压的分压达到一内置的第一预设阈值。

3.根据权利要求1所述的芯片的启动电路，其特征在于，所述启动电流控制模块包括一第一电流镜；所述第一电流镜包括：一第一场效应管、一第二场效应管和一第一电阻；所述第一电阻的正极分别电连接至所述外部驱动电路和所述第一场效应管的漏极，所述第一电阻的负极电连接至所述第二场效应管的漏极；所述第二场效应管的漏极电连接至所述第二场效应管栅极，所述第二场效应管的栅极电连接至所述第一场效应管的栅极，所述第二场效应管的源极电连接至所述第一场效应管的源极，并且共同连接至所述电源电压。

4.根据权利要求3所述的芯片的启动电路，其特征在于，所述第一场效应管和所述第二场效应管均为NMOS管。

5.根据权利要求3所述的芯片的启动电路，其特征在于，所述第一场效应管与所述第二场效应管的宽长比为n:1。

6.根据权利要求1所述的芯片的启动电路，其特征在于，所述采样模块包括：一第二电阻和一第三电阻；所述第二电阻的一端电连接至所述电源电压，另一端电连接至所述第三电阻的一端；所述第三电阻的另一端接地；所述第二电阻和所述第三电阻的共同连接点电连接至所述比较模块的第一输入端。

7.根据权利要求1所述的芯片的启动电路，其特征在于，所述比较模块包括：一比较器，所述比较器的第一输入端电连接至所述采样模块；所述比较器的第二输入端电连接至所述基准模块。

8.根据权利要求1所述的芯片的启动电路，其特征在于，所述反馈控制模块包括：一第三场效应管，所述第三场效应管的栅极电连接至所述比较模块的输出端，所述第三场效应管的漏极电连接至所述启动电流控制模块的第一电阻和第二场效应管的共同连接点，所述第三场效应管的源极接地。

9.根据权利要求1所述的芯片的启动电路，其特征在于，所述芯片的启动电路进一步包括：一钳压模块，所述钳压模块用于使所述外部驱动电路所提供的电压小于所述启动电流控制模块的最大承受电压。

10.根据权利要求9所述的芯片的启动电路，其特征在于，所述钳压模块包括一高压JFET管，所述高压JFET管的漏极电连接至所述外部驱动电路，所述高压JFET管的栅极接地，所述高压JFET管的源极电连接至所述启动电流控制模块。

11.根据权利要求6所述的芯片的启动电路，其特征在于，当所述反馈控制信号为一高电平信号时，以使所述电源电压的分压达到一内置的第一预设阈值，此时所述电源电压为其中V_REF为基准电压，R2为第二电阻的阻值，R3为第三电阻的阻值。

12.根据权利要求3所述的芯片的启动电路，其特征在于，电源电压V_CC的充电电流等于其中，V_Joff是高压JFET管的夹断电压，V_TM2是第二场效应管的开启阀值电压，V_CC是电源电压，R1是第一电阻的阻值，n是第一电流镜的比例。