[发明专利]具有不同电荷密度的交替垂直堆叠层结构的元件载体有效
申请号: | 201510726722.X | 申请日: | 2015-10-30 |
公开(公告)号: | CN106658967B | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 米卡埃尔·图奥米宁 | 申请(专利权)人: | 奥特斯(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L23/538 | 分类号: | H01L23/538 |
代理公司: | 11002 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张晶;王莹 |
地址: | 201108 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 不同 电荷 密度 交替 垂直 堆叠 结构 元件 载体 | ||
本发明公开了一种元件载体(100),涉及一种具有不同电荷密度的交替垂直堆叠层结构的元件载体,其包括多个低密度层结构(120)和多个高密度层结构(110),多个高密度层结构(110)比多个低密度层结构具有更高的导电结构(131、132、171、172)的密度,其中,低密度层结构(120)和高密度层结构(110)交替垂直堆叠。
技术领域
本发明涉及一种元件载体及制造元件载体的方法。
背景技术
按照惯例,用于携带电子元件的载体包括多层结构。具有板中板(board-in-board)技术的多层载体被设置为满足装置中更高扇出(fan-out)和更少可用空间的需要。在一个制造单元中制造这种载体照惯例与高成本和具有大量电子链接和连接的区域和具有少量电子链接和连接的区域之间的连接的困难的准确性和可靠性相关。
发明内容
本发明的目标是能够低成本设计具有非常简单的设计规则且同时具有高的扇出性能且在操作过程中可靠的元件载体。
为了实现上述确定的目标,提供了根据本发明的元件载体和制造元件载体的方法。
根据本发明的示例实施例,提供了一种元件载体,其中,元件载体包括多个低密度层结构、多个高密度层结构,多个高密度层结构比多个低密度层结构具有更高的导电结构的密度,其中,低密度层结构和高密度层结构交替垂直堆叠。
根据本发明的另一示例实施例,提供了一种制造元件载体的方法,其中,该方法包括提供多个低密度层结构、提供比多个低密度层结构具有更高的导电结构的密度的多个高密度层结构、以及交替垂直堆叠低密度层结构和高密度层结构。
在本申请的上下文中,术语“元件载体”可尤其表示在其上和/或其中为提供机械支撑和电气连接能够容纳一个或多个电子元件的任何支撑结构。
在本申请的上下文中,术语“导电结构”可尤其表示能够传导电流的物理结构。特别地,导电结构能够传导信号。此外,导电结构可以是连续或图案化的层,或诸如过孔或衬垫的垂直互连结构。
在本申请的上下文中,术语“导电结构的密度”可尤其表示每单位体积的多个导电元件或子结构。还可以集成不同尺寸的导电元件。因此,较高数量的较小导电元件可导致比较低数量的较大导电结构或元件更高的导电结构的密度。导电结构的密度可进一步被导电元件的厚度和/或可组成导电结构的部分的衬垫或过孔的环状垫圈的尺寸影响。此外,导电结构的密度可被过孔的直径或线对线的距离影响或限定。
在本申请的上下文中,术语“低密度层结构”可尤其表示每单位面积可具有比高密度层结构更小数量的导电元件或子结构的结构。低密度层结构还可表示可包括相对较大的导电元件使得低数量的这种导电元件可被集成在一个单位体积中的结构。
在本申请的上下文中,术语“高密度层结构”可尤其表示每单位面积可具有比低密度层结构更大数量的导电元件的结构。高密度层结构还可表示可包括相对较小的导电元件使得高数量的这种导电元件或子结构可被集成在一个单位体积中的结构。
在本申请的上下文中,术语“交替垂直堆叠”可尤其表示至少一个高密度层结构可垂直设置在两个低密度层结构中间,且至少一个低密度层结构可垂直设置在两个高密度层结构中间。理所当然的,交替垂直堆叠还可表示一个低密度层结构可设置在两个高密度层结构中间。垂直堆叠还可表示低密度层结构的两个主表面中的一个的大部分与高密度层结构的两个主表面中的一个的大部分重叠。两个主表面中的一个的大部分可尤其为大于该一个主表面的90%,进一步地尤其大于该一个主表面的95%。该重叠可能甚至明显低于给定的数字。更特别地,术语“交替垂直堆叠”可表示包括至少一个“低密度-高密度-低密度-高密度”序列的堆栈。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥特斯(中国)有限公司,未经奥特斯(中国)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510726722.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。