[发明专利]ITO透明导电层的制备方法、LED芯片及发光二极管

权利要求书

1.一种ITO透明导电层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在LED外延片表面上进行n次镀膜，在后镀膜在前次镀膜形成的薄膜上进行，所述n次镀膜得到的相应薄膜形成ITO透明导电层，各薄膜的厚度相等，3≤n≤6。

2.根据权利要求1所述的ITO透明导电层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在镀膜速率为V₁埃/秒、镀膜时间为T₁秒、氧气流量为Q₁毫升/分钟、温度为D₁摄氏度、腔体压力为P₁托的条件下，蒸镀形成第1薄膜；

在镀膜速率为V₂埃/秒、镀膜时间为T₂秒、氧气流量为Q₂毫升/分钟、温度为D₂摄氏度、腔体压力为P₂托的条件下，蒸镀形成第2薄膜；V₂＝V₁，T₂＝T₁，Q₂＝Q₁，D₂＝yD₁，P₂＝zP₁；

依次镀膜直至形成第n薄膜，在镀膜速率为V_n埃/秒、镀膜时间为T_n秒、氧气流量为Q_n毫升/分钟、温度为D_n摄氏度、腔体压力为P_n托的条件下，蒸镀形成第n薄膜；

其中，V_n＝V_n-1，T_n＝T_n-1，Q_n＝Q_n-1，D_n＝yD_n-1，P_n＝zP_n-1，0.85≤y≤0.95，0.8≤z≤0.9，所述V₁为2～6埃/秒，所述T₁为160～200秒，所述Q₁为2～8毫升/分钟，所述D₁为250～320度，所述P₁为3.0×10^-6～5.0×10^-6托。

3.根据权利要求2所述的ITO透明导电层的制备方法，其特征在于，y为0.9，z为0.85。

4.根据权利要求1所述的ITO透明导电层的制备方法，其特征在于，在完成任一薄膜之后，间隔5～15分钟，再进行下一次镀膜。

5.根据权利要求2所述的ITO透明导电层的制备方法，其特征在于，各薄膜的膜厚为相应的镀膜速率与相应的镀膜时间的乘积，所有薄膜的总膜厚H为3000埃～6000埃。

6.根据权利要求5所述的ITO透明导电层的制备方法，其特征在于，当3000≤H≤5000时，n为3或4，当5000＜H≤6000时，n为5或6。

7.一种LED芯片，其特征在于，包括权利要求1～6中任一项得到的ITO透明导电层。

8.一种发光二极管，其特征在于，包括权利要求7所述的LED芯片。