[发明专利]一种IGBT芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种IGBT芯片的制作方法，其特征在于，包括：

步骤1、通过离子注入的方式，将硼注入到IGBT器件中；

步骤2、对所述IGBT器件进行高温退火，激活注入到所述IGBT器件的硼，并使硼达到所述IGBT器件的预设深度，形成P阱；

步骤3、将磷通过高能离子注入的方式注入到所述P阱下的预定位置，并进行高温退火激活所述磷，形成所述IGBT器件的N阱；

其中，所述N阱与所述P阱形成倒置型PN结势垒。

2.如权利要求1所述的IGBT芯片的制作方法，其特征在于，在所述步骤3后，还包括：

步骤4、对所述IGBT器件的N+区进行掺杂，形成所述IGBT器件的发射极。

3.如权利要求2所述的IGBT芯片的制作方法，其特征在于，在所述步骤4之后，还包括：

步骤411、对所述IGBT器件进行隔离介质层工艺处理，形成隔离介质层，并进行接触孔光刻，打开所述接触孔；

步骤412、对所述IGBT器件进行金属工艺处理，形成金属层，并进行金属光刻与刻蚀，将所述发射极与栅极引出，进行钝化工艺，保护所述IGBT器件的正面。

4.如权利要求3所述的IGBT芯片的制作方法，其特征在于，在所述步骤412之后，还包括：

步骤413、对所述IGBT器件的背面进行减薄，其中，对650V的IGBT器件，减薄的最终厚度为50μm-100μm；对1200V的IGBT器件，减薄的最终厚度为100μm-170μm；对1700V的IGBT器件，最终厚度为170μm-250μm；对2500V IGBT器件，减薄的最终厚度为250μm-350μm；对3300V的IGBT器件，减薄的最终厚度为350μm-450μm；对4500V IGBT器件，减薄的最终厚度为450μm-600μm；对6500V的IGBT器件，减薄的最终厚度为600μm-800μm。

5.如权利要求4所述的IGBT芯片的制作方法，其特征在于，在所述步骤413之后，还包括：

步骤414、对所述IGBT器件进行背面P+注入、激活推进、金属化工艺处理，形成背面集电极和背面金属层。

6.如权利要求2所述的IGBT芯片的制作方法，其特征在于，在所述步骤4之后，还包括

步骤421、对所述IGBT器件进行背面P+注入并退火，形成IGBT器件的背面集电极。

7.如权利要求6所述的IGBT芯片的制作方法，其特征在于，在所述步骤421之后，还包括：

步骤422、对所述IGBT器件进行隔离介质层工艺处理，形成隔离介质层，并进行接触孔光刻，打开所述接触孔；

步骤423、对所述IGBT器件进行金属工艺处理，形成金属层，并进行金属光刻与刻蚀，将所述发射极与栅极引出，进行钝化工艺，保护所述IGBT器件的正面。

8.如权利要求7所述的IGBT芯片的制作方法，其特征在于，在所述步骤423之后，还包括：

步骤424、对所述IGBT器件进行背面金属化工艺处理，形成背面集电极金属层。

9.一种IGBT芯片，其特征在于，应用如权利要求1-8任一项所述的IGBT芯片的制作方法，包括P阱、N阱和基区，所述N阱设置于所述P阱和所述基区之间。