[发明专利]纳米格子与纳米聚合物格子材料及其制备和应用方法在审
申请号: | 201510728912.5 | 申请日: | 2015-10-30 |
公开(公告)号: | CN105348289A | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 解令海;冯全友;韩业龙;李斌;卞临沂;余洋;仪明东;黄维 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | C07D487/08 | 分类号: | C07D487/08;C07D495/22;C08G61/02;C08G61/12;C09K11/06;H01L51/54;G11C17/10 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 汪旭东 |
地址: | 210003 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 格子 聚合物 材料 及其 制备 应用 方法 | ||
1.一类纳米格子,其特征在于该纳米格子具有刚性几何结构,其结构如结构通式I:
结构通式中由至少四个芳烃或者含杂原子芳烃类结构构成,Y为Cl,Br,I。
2.根据权利要求1所述的纳米格子,其特征在于该纳米格子优选芴类结构,纳米格子具有如下结构:
式中:W为C或N,Y为Cl、Br或I,Ar1~Ar4为以下结构中的一种:
Ar5和Ar6为具有两个反应活性位点的富电子结构的芳烃及其衍生物,Ar5与Ar6为以下结构中的一种:
以上各式中R1-R9为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或其烷氧基;X原子为O,S或Se。
3.一类纳米聚合物格子材料,其特征在于其聚合单体即纳米格子具有刚性几何结构,具体纳米聚合物格子结构如结构通式Ⅲ:
结构通式中代表聚合物重复单元,由至少四个芳烃或者含杂原子芳烃类结构构成,n为1~300的自然数。
4.根据权利要求3所述的纳米聚合物格子材料,其特征在于所述纳米聚合物格子材料的格子优选芴类结构,纳米聚合物格子材料具有如下结构:
式中:n为1-300;W为C或N,Ar1~Ar4为以下结构中的一种:
Ar5和Ar6为具有两个反应活性位点的富电子结构的芳烃及其衍生物,为以下结构中的一种:
以上各式中R1-R9为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或其烷氧基;X原子为O,S或Se。
5.一种如权利要求1、2、3或4所述的纳米格子和纳米聚合物格子材料的制备方法,其特征在于该制备方法是:反应路线通式Ⅰ中的叔醇通过酸催化的傅-克反应,自身合环得到纳米格子;然后通过Suzuki偶联聚合,Stille偶联聚合或Yamamoto偶联聚合反应得到纳米聚合物格子材料,其反应路线通式Ⅰ为:
其中Y为Cl、Br或I,n为1-300。
6.一种如权利要求1、2、3或4所述的纳米格子和纳米聚合物格子材料的应用,其特征在于所述的纳米格子和纳米聚合物格子材料应用于有机/聚合物发光二极管,其中发光二极管器件的结构为透明阳极/发光层/电子注入层/阴极,其中,发光层由主体材料与掺杂客体组成,纳米格子和纳米聚合物格子作为主体材料。
7.一种如权利要求1、2、3或4所述的纳米格子和纳米聚合物格子材料的应用,其特征在于纳米格子和纳米聚合物格子材料应用于信息存储器件,其中存储器件的结构低栅顶接触,顺序可以为基底、栅极、遂穿层、有机半导体、源极和漏极,其中纳米格子和纳米聚合物格子作为介电层,通过溶液旋涂或喷墨打印方式制备。
8.一种如权利要求1、2、3或4所述的纳米格子和纳米聚合物格子材料的应用,其特征在于纳米格子和纳米聚合物格子材料应用于爆炸物的检测;纳米格子和纳米聚合物格子具有多孔特性和大的比表面积,使得爆炸物分子很容易被吸附到材料上,进而通过该材料光谱的变化证明爆炸物的存在。
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