[发明专利]提高晶片产品套准精度的方法

权利要求书

1.一种提高晶片产品套准精度的方法，其特征在于，应用于利用APC系统对光刻机进行曝光参数的设定，所述方法包括：

获取所述光刻机的曝光参数漂移量；

获取所述光刻机在对当前批次芯片进行光刻工艺时的曝光补偿参数；

所述APC系统根据所述曝光补偿参数和所述曝光参数漂移量计算出所述光刻机对下一批次芯片进行光刻工艺的预设曝光参数。

2.如权利要求1所述的提高晶片产品套准精度的方法，其特征在于，所述方法中，获取所述光刻机的曝光参数漂移量的步骤包括：

提供若干基准片；

所述光刻机于预设的周期分别对所述基准片进行光刻工艺，并通过对所述基准片进行量测以获取所述基准片的套准精度量测值；

所述APC系统根据所述基准片的套准精度量测值获取所述光刻机的所述曝光参数漂移量。

3.如权利要求1所述的提高晶片产品套准精度的方法，其特征在于，所述方法中：

利用套准精度量测机对所述基准片进行量测，以获取所述基准片的套准精度量测值。

4.如权利要求3所述的提高晶片产品套准精度的方法，其特征在于，所述方法中，获取所述光刻机在对当前批次芯片进行光刻工艺时的曝光补偿参数的步骤包括；

利用所述套准精度量测机对进行光刻工艺后的当前批次芯片进行量测，以获取当前批次芯片的套准精度量测值；

所述APC系统根据所述当前批次芯片的套准精度量测值获取所述光刻机的所述曝光补偿参数。

5.如权利要求4所述的提高晶片产品套准精度的方法，其特征在于，所述APC系统根据所述曝光补偿参数和所述光刻机的曝光参数漂移量，并利用第一公式计算出所述光刻机对下一批次芯片进行光刻工艺的预设曝光参数；

其中，所述第一公式为Tx_n+1＝Tx_n-OVLx_n*EWMA+(Tx_d2-Tx_d1)；

Tx_n+1为所述光刻机对下一批次芯片进行光刻工艺的预设曝光参数，Tx_n为所述光刻机对当前批次芯片进行光刻工艺的曝光补偿参数，OVLx_n为当前批次芯片的套准精度量测值，EWMA权重为补偿权重，Tx_d2-Tx_d1为光刻机在曝光当前批次芯片和下一次批次芯片时光刻机的曝光参数漂移量。

6.一种提高晶片产品套准精度的方法，其特征在于，应用于利用APC系统根据第一光刻机对第二光刻机进行曝光参数的设定，所述方法包括：

获取所述第一光刻机和第二光刻机之间的曝光参数偏差值；

获取所述第一光刻机在对当前批次芯片进行光刻工艺时的曝光补偿参数；

所述APC系统根据所述曝光补偿参数和所述第一光刻机和第二光刻机之间的曝光参数偏差值设定所述第二光刻机对下一批次芯片进行光刻工艺的预设曝光参数。

7.如权利要求6所述的提高晶片产品套准精度的方法，其特征在于，所述方法中，获取所述第一光刻机和第二光刻机之间的曝光参数偏差值的步骤包括：

提供若干基准片；

所述第一光刻机和第二光刻机于预设的周期分别对所述基准片进行光刻工艺，并通过对所述基准片进行量测以获取所述基准片的套准精度量测值；

所述APC系统根据所述基准片的套准精度量测值获取所述第一光刻机和第二光刻机之间的所述曝光参数漂移量。

8.如权利要求7所述的提高晶片产品套准精度的方法，其特征在于，所述方法中：

利用套准精度量测机对所述基准片进行量测以获取所述基准片的套准精度量测值。

9.如权利要求8所述的提高晶片产品套准精度的方法，其特征在于，所述方法中，获取所述第一光刻机在对当前批次芯片进行光刻工艺时的曝光补偿参数的步骤包括：

利用所述套准精度量测机对利用所述第一光刻机进行光刻工艺后的当前批次芯片进行量测，以获取当前批次芯片的套准精度量测值；

所述APC系统根据所述当前批次芯片的套准精度量测值获取所述第一光刻机的所述曝光补偿参数。

10.如权利要求6所述的提高晶片产品套准精度的方法，其特征在于，所述APC系统根据所述曝光补偿参数和所述第一光刻机和第二光刻机之间的曝光参数偏差值，并利用第二公式计算出所述第二光刻机对下一批次芯片进行光刻工艺的预设曝光参数；

所述第二公式为Tx_n+1＝Tx_n+(Tx_S2-Tx_S1)；

其中，Tx_n+1为所述第二光刻机对第下一批次芯片进行光刻工艺的预设曝光参数，Tx_n为所述第一光刻机对当前批次芯片进行光刻工艺的曝光补偿参数，Tx_S2-Tx_S1为所述第一光刻机和第二光刻机之间的曝光参数偏差值。