[发明专利]带碳化硅膜基板及其制造方法、以及半导体装置

权利要求书

1.一种带碳化硅膜基板，其特征在于，

包括：

硅基板；以及

立方晶碳化硅膜和掩膜，层叠在所述硅基板上，

所述立方晶碳化硅膜具有：

第一立方晶碳化硅膜，设于所述硅基板的上侧；以及

第二立方晶碳化硅膜，设于所述第一立方晶碳化硅膜的上侧，

所述掩膜具有：

第一掩膜，设于所述硅基板和所述第一立方晶碳化硅膜之间；以及

第二掩膜，设于所述第一立方晶碳化硅膜和所述第二立方晶碳化硅膜之间，

所述第一掩膜具备第一开口部，所述硅基板从所述第一开口部露出，

所述第二掩膜具备第二开口部，所述第一立方晶碳化硅膜从所述第二开口部露出，

当设所述第一开口部的宽度为W1，设所述第一掩膜的厚度为T1时，T1<tan(54.6°)×W1，其中，W1和T1的单位为μm。

2.根据权利要求1所述的带碳化硅膜基板，其特征在于，

所述第一掩膜和所述第二掩膜配置在俯视观察下重叠的位置。

3.根据权利要求1或2所述的带碳化硅膜基板，其特征在于，

所述第二开口部的宽度与所述第一开口部的宽度相同、或比所述第一开口部的宽度窄。

4.根据权利要求1或2所述的带碳化硅膜基板，其特征在于，

当设从所述第一掩膜的底面到所述第二掩膜的底面的距离为D1时，D1≧tan(54.6°)×W1，其中，D1的单位为μm。

5.根据权利要求1或2所述的带碳化硅膜基板，其特征在于，

所述硅基板的形成有所述第一立方晶碳化硅膜的表面的面取向为(100)。

6.根据权利要求1或2所述的带碳化硅膜基板，其特征在于，

所述立方晶碳化硅膜还具有：

第三立方晶碳化硅膜，设于所述第二立方晶碳化硅膜的上侧，

所述掩膜还具有：

第三掩膜，设于所述第二立方晶碳化硅膜和所述第三立方晶碳化硅膜之间，

所述第三掩膜具备第三开口部，所述第二立方晶碳化硅膜从所述第三开口部露出。

7.根据权利要求1或2所述的带碳化硅膜基板，其特征在于，

所述第一掩膜设置在所述硅基板上并与所述硅基板接触。

8.一种带碳化硅膜基板的制造方法，其特征在于，

包括：

第一工序，在硅基板上形成第一膜；

第二工序，在所述第一膜形成露出所述硅基板的第一开口部；

第三工序，在露出于所述第一开口部的所述硅基板上，利用外延生长形成预定厚度的第一立方晶碳化硅膜；

第四工序，在所述第一立方晶碳化硅膜上形成第二膜；

第五工序，在所述第二膜形成露出所述第一立方晶碳化硅膜的第二开口部；以及

第六工序，在露出于所述第二开口部的所述第一立方晶碳化硅膜上利用外延生长形成第二立方晶碳化硅膜，

当设所述第一膜的厚度为T1、设所述第一开口部的宽度为W1时，T1<tan(54.6°)×W1。

9.根据权利要求8所述的带碳化硅膜基板的制造方法，其特征在于，

在所述第三工序中，设所述预定厚度为D1时，D1≧tan(54.6°)×W1。

10.根据权利要求8或9所述的带碳化硅膜基板的制造方法，其特征在于，

所述硅基板的上表面是(100)。

11.根据权利要求8或9所述的带碳化硅膜基板的制造方法，其特征在于，

所述第二开口部的宽度与所述第一开口部的宽度相同、或比所述第一开口部的宽度更窄，

所述第一开口部和所述第二开口部在俯视观察所述硅基板时位于重叠的位置。