[发明专利]一种抑制霉菌Gra04生长的纳米银制剂及其制备方法在审
申请号: | 201510730645.5 | 申请日: | 2015-10-30 |
公开(公告)号: | CN105268989A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
发明(设计)人: | 魏昂;方婷;吴家根;陆玲;刘飞飞 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | B22F9/24 | 分类号: | B22F9/24;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 李纪昌 |
地址: | 210046 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抑制 霉菌 gra04 生长 纳米 制剂 及其 制备 方法 | ||
1.一种抑制霉菌Gra04生长的纳米银制剂,其特征在于:纳米银的粒径为10~40nm,纳米银的浓度为4.04×10-5mol/L~16.16×10-5mol/L。
2.权利要求1所述的抑制霉菌Gra04生长的纳米银制剂的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1,将NaOH水溶液加至AgNO3水溶液中,搅拌,弃去上清,得到Ag2O沉淀;
步骤2,将稀氨水加至步骤1所得Ag2O沉淀中,搅拌,得混合液;
步骤3,将PVP加至步骤2所得混合液中,搅拌,置于光化学反应仪中反应,离心,所得沉淀即为纳米银制剂。
3.根据权利要求1所述的抑制霉菌Gra04生长的纳米银制剂的制备方法,其特征在于:步骤1中NaOH水溶液和AgNO3水溶液的浓度均为0.1mol/L,NaOH和AgOH的摩尔比为1.2:1。
4.根据权利要求1所述的抑制霉菌Gra04生长的纳米银制剂的制备方法,其特征在于:步骤2中稀氨水的质量分数为2%。
5.根据权利要求1所述的抑制霉菌Gra04生长的纳米银制剂的制备方法,其特征在于:步骤3中PVP的用量相当于AgNO3质量的5~9倍。
6.根据权利要求1所述的抑制霉菌Gra04生长的纳米银制剂的制备方法,其特征在于:步骤3中光化学反应仪的反应条件为500W汞灯、254nm紫外灯,灯管距离液面高度为9cm。
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