[发明专利]一种具有较低差分模群时延的少模光纤

权利要求书

1.一种具有较低差分模群时延的少模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述芯层的相对折射率差Δ1为0.24％～0.36％，半径R1为9μm～12μm，包覆在芯层外的包层由内至外依次包括内包层、下陷包层和外包层，所述的内包层折射率为n₂，相对折射率差Δ2为-0.02％～0.02％，半径R2为13.6μm～18μm；所述的下陷包层分为两层，第一下陷包层紧密围绕内包层，其半径R3为16～30μm，R3-R2≥2μm，其折射率以α型折射率分布从R2处的n₂逐渐变小至R3处的n₃，相对折射率差以α型折射率分布从R2处的Δ2逐渐变小至R3处的Δ3，Δ3为-0.8％～-0.4％，第二下陷包层紧密围绕第一下陷包层，其折射率为n₃，相对折射率差为Δ3，半径R4为18.6μm～30μm，且R4≥R3，0.5≤(R3-R2)/(R4-R2)≤1，所述的外包层为纯石英玻璃层。

2.按权利要求1所述的具有较低差分模群时延的少模光纤，其特征在于所述的第一下陷包层的折射率分布用下式来表示：n(r)＝n₂·{1-2Δ[(r-R2)/(R3-R2)]^α}^1/2，其中n₂为内包层的折射率，

3.按权利要求1或2所述的具有较低差分模群时延的少模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处支持四个稳定的传输模式，分别为LP01、LP11、LP21和LP02。

4.按权利要求1或2所述的具有较低差分模群时延的少模光纤，其特征在于所述光纤的高阶模式在1550nm波长处的有效面积大于剖面相同且下陷包层仅含规则矩形的少模光纤。

5.按权利要求3所述的具有较低差分模群时延的少模光纤，其特征在于所述的LP11模式在1550nm波长处的有效面积大于或等于140μm²；LP21模式在1550nm波长处的有效面积大于或等于155μm²；LP02模式在1550nm波长处的有效面积大于或等于195μm²。

6.按权利要求1或2所述的具有较低差分模群时延的少模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处的max|DGD|小于或等于5.5ps/m。

7.按权利要求6所述的具有较低差分模群时延的少模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处的max|DGD|小于剖面相同且下陷包层仅含规则矩形的少模光纤，max|DGD|的减小量大于或等于0.3ps/m。

8.按权利要求1或2所述的具有较低差分模群时延的少模光纤，其特征在于所述的芯层均由掺氟(F)和锗(Ge)的石英玻璃，或掺有氟(F)及其他掺杂剂的石英玻璃组成；所述的内包层由掺氟(F)和锗(Ge)的石英玻璃，或纯石英玻璃组成；所述的下陷包层，由掺氟(F)的石英玻璃组成。