[发明专利]一种吸盘及其吸附方法有效
| 申请号： | 201510731089.3 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN106653671B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 郑清泉;方洁;夏海 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司;上海微高精密机械工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 吸盘 及其 吸附 方法 | ||
1.一种吸盘，包括吸盘主体，所述吸盘主体的中心设有用于基底交接的通孔，其特征在于，所述吸盘主体上设有至少两个凸出吸盘主体且与所述通孔同心分布的密封环，所述密封环上开设有环形凹槽，所述环形凹槽内设有若干与外部真空源连通的真空孔，吸附所述基底时，从所述真空孔通入真空，位于所述密封环与所述基底之间的环形凹槽形成为真空腔；所述吸盘主体上还均匀分布有若干凸点；所述凸点呈环形分布；所述密封环的高度与所述凸点的高度相同；一个密封环与另一个密封环上的真空孔所连通的真空源的控制彼此独立；两相邻的所述密封环之间的间距优选范围为10mm～20mm。
2.根据权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述密封环与所述凸点的高度为50um～100um。
3.根据权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述凸点为圆柱形。
4.根据权利要求3所述的吸盘，其特征在于，所述凸点的直径为0.1mm～0.3mm。
5.根据权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述凸点与凸点之间的间隔为3mm～6mm。
6.根据权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述环形凹槽的宽度为1mm～1.5mm。
7.根据权利要求1所述的吸盘，其特征在于，一个所述环形凹槽内的所述真空孔的数量为3～4个。
8.根据权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述吸盘主体为碳化硅陶瓷或铝合金材料。
9.一种采用如权利要求1-8任一所述的吸盘进行基底吸附的方法，其特征在于，一个密封环与另一个密封环上的真空孔所连通的真空源的控制彼此独立，在进行基底吸附时，沿所述通孔径向由内向外依次打开所述密封环上的真空孔所连通的真空源，进行分时吸附。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
