[发明专利]显示单元有效
申请号: | 201510732460.8 | 申请日: | 2010-03-08 |
公开(公告)号: | CN105405863B | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 种田贵之;山本哲郎;内野胜秀 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;陈鹏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 有机EL装置 电容 像素电路 写入 视频信号驱动 发光颜色 视频信号 显示电路 像素设置 邻接 外部 | ||
1.一种显示单元,包括:显示部分,具有多个有机EL装置以及多个像素电路,所述多个像素电路按照每个所述有机EL装置而设置一个,其中,
所述多个像素电路包括第一像素电路、第二像素电路和第三像素电路,所述第一像素电路与所述第二像素电路和所述第三像素电路邻接,并且所述第一像素电路位于所述第二像素电路和所述第三像素电路之间,其中第一有机EL装置、第二有机EL装置和第三有机EL装置被配置为发出颜色彼此不同的光,并且每个有机EL装置被设置用于所述第一像素电路、所述第二像素电路和所述第三像素电路;
所述第一像素电路、所述第二像素电路和所述第三像素电路的每一者具有用于写入视频信号的第一晶体管、用于基于所述第一晶体管所写入的视频信号驱动所述有机EL装置的第二晶体管、以及具有第一电极和第二电极的保持电容,所述第一电极设置在所述第二电极的上方,
所述第二像素电路的所述第二晶体管被设置为比所述第二像素电路的所述保持电容的所述第一电极离与所述第一像素电路对应的第一有机EL装置更远,
所述第三像素电路的所述第二晶体管被设置为比所述第三像素电路的所述保持电容的所述第一电极离与所述第一像素电路对应的所述第一有机EL装置更远,并且
所述有机EL装置被形成在所述第一晶体管和所述第二晶体管上方。
2.如权利要求1所述的显示单元,其中,所述第一有机EL装置具有产生光线的有机层,所述光线能够使所述第一晶体管和所述第二晶体管降级。
3.如权利要求1所述的显示单元,其中,所述第一有机EL装置被配置为发射蓝光。
4.如权利要求1所述的显示单元,其中,所述第一有机EL装置与所述第一像素电路的第二晶体管重叠。
5.一种显示单元,包括:显示部分,所述显示部分具有为第一有机EL装置设置的第一像素电路、为第二有机EL装置设置的第二像素电路和为第三有机EL装置设置的第三像素电路,其中,所述第一有机EL装置被配置为发出蓝光,所述第二有机EL装置被配置为发出红光以及所述第三有机EL装置被配置为发出绿光,其中,
所述第一像素电路位于所述第二像素电路和所述第三像素电路之间,
所述第一像素电路、所述第二像素电路和所述第三像素电路的每一者具有用于写入视频信号的第一晶体管、用于基于所述第一晶体管所写入的视频信号驱动所述有机EL装置的第二晶体管、以及具有第一电极和第二电极的保持电容,所述第一电极设置在所述第二电极的上方,
所述第二像素电路的所述第二晶体管被设置为比所述第二像素电路的所述保持电容的所述第一电极离所述第一有机EL装置更远,
所述第三像素电路的所述第二晶体管被设置为比所述第三像素电路的所述保持电容的所述第一电极离所述第一有机EL装置更远,并且
有机EL装置被形成在所述第一晶体管和所述第二晶体管上方。
6.如权利要求5所述的显示单元,其中,所述第一有机EL装置具有产生光线的有机层,所述光线能够使所述第一晶体管和所述第二晶体管降级。
7.如权利要求5所述的显示单元,其中,所述第一有机EL装置与所述第一像素电路的第二晶体管重叠。
8.一种显示单元,包括为第一有机EL装置设置的第一像素电路、为第二有机EL装置设置的第二像素电路和为第三有机EL装置设置的第三像素电路,其中,
所述第一像素电路与所述第二像素电路和所述第三像素电路邻接,
所述第一像素电路、所述第二像素电路和所述第三像素电路的每一者具有用于写入视频信号的第一晶体管、用于基于所述第一晶体管所写入的视频信号驱动所述有机EL装置的第二晶体管、以及具有第一电极和第二电极的保持电容,
所述第二像素电路的所述第一晶体管相对于第一线被设置在与所述第一像素电路的所述第一有机EL装置相反的一侧上,所述第一线与所述第一像素电路上的位于所述第二像素电路的保持电容外部的端部接触并沿列方向延伸,
所述第三像素电路的所述第一晶体管相对于第二线被设置在与所述第一像素电路的所述第一有机EL装置相反的一侧上,所述第二线与所述第一像素电路上的位于所述第三像素电路的保持电容外部的端部接触并沿列方向延伸,并且
所述第一有机EL装置被形成在所述第一晶体管和所述第二晶体管上方,
其中,所述第一像素电路的第一晶体管、第二晶体管以及保持电容的布局与所述第二像素电路的第一晶体管、第二晶体管以及保持电容的布局呈镜面对称,所述第二像素电路的第一晶体管、第二晶体管以及保持电容的布局与所述第三像素电路的第一晶体管、第二晶体管以及保持电容的布局成镜面对称。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的