[发明专利]海底管道同步光缆的弃管处理方法及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510732665.6 申请日: 2015-11-03
公开(公告)号: CN105204135A 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 马志卫;候越 申请(专利权)人: 天津亿利科能源科技发展股份有限公司
主分类号: G02B6/50 分类号: G02B6/50
代理公司: 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙) 12217 代理人: 王山
地址: 300384 天津市南开区华苑*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 海底 管道 同步 光缆 处理 方法 及其 制备
【说明书】:

技术领域

发明涉及海底油气管道铺设的技术领域,具体说是一种海底管道同步光缆的弃管处理方法。

背景技术

海底蕴藏着大量的油气资源,海底管道(简称海管)作为其油气资源的主要输送形式,已在国内外得到了广泛应用。然而,由于人为因素、环境因素、内部腐蚀等原因,海底管道泄漏事故在国内外时有发生。且泄漏一旦发生,无法第一时间确定泄漏位置和泄漏事件,不仅会造成巨大的经济损失,还会污染海洋环境。

分布式光纤传感技术对温度变化敏感,因此可以通过伴随管道的光缆测量泄漏前后的温度变化来对泄漏进行识别和定位。由于分布式传感技术具有诸多优点,如:本质安全、监测精度高、抗腐蚀能量强等,该技术已在陆地油气管道泄漏监测中得到了有效应用。然而由于海洋环境复杂多变,在管道铺设过程中,时有弃管过程发生,而与海底管道一同铺设的光缆需具有连续性,因此有必要设计一种弃管过程中光缆的处理方法。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种海底管道同步光缆的弃管处理方法。

本发明为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是:

本发明的海底管道同步光缆的弃管处理方法,包括以下步骤:

A、弃管开始前,在超出海管节点处将光缆截断,并将光缆端部密封,将光缆固定在海管上,弃管时,光缆随海管一同落入海底;

B、所弃海管与光缆一同回收后,对光缆端部进行处理;

C、将光缆护套穿入已铺设光缆中,并将未铺设光缆与已铺设光缆进行熔接,光缆熔接点在海管节点处;

D、将光缆护套移动至熔接点处,并对光缆护套两端与光缆间进行密封处理;

E、在海管节点处的防腐工作完成后,在海管节点处固定光缆;

F、在海管节点处进行设置发泡层,光缆护套包覆于发泡层中。

本发明还可以采用以下技术措施:

弃管开始前,在至少超出海管节点2米处对光缆进行截断。

所述的光缆护套的内径大于光缆直径,且光缆护套的外径小于发泡层厚度。

步骤E中,在海管节点处设置两条固定光缆的绑带,并在海管节点的两端分别设置一条绑带固定海管节点两侧的光缆。

本发明具有的优点和积极效果是:

本发明的海底管道同步光缆的弃管处理方法中,在已铺设和未铺设光缆熔接后于海管节点处和海管节点两端分别用了绑带进行固定,然后将光缆熔接点处的光缆护套包覆于发泡层中,从而有效地增加了所述光缆熔接点的轴向强度,保证了所述光缆安全铺设。本发明操作简单、便于实施且省时省力,解决了与海底管道一同铺设的光缆在弃管处理过程中的技术难题。

附图说明

图1是本发明的海底管道同步光缆的弃管处理方法中弃管开始前的示意图;

图2是本发明的海底管道同步光缆的弃管处理方法中弃管回收后的示意图。

具体实施方式

以下通过附图和实施例对本发明进行详细说明。

如图1、图2所示,本发明的海底管道同步光缆的弃管处理方法,包括以下步骤:

A、弃管开始前,在超出海管节点5处将光缆2截断,并将光缆端部3密封,将光缆2固定在海管1上,弃管时,光缆随海管一同落入海底;

B、所弃海管1与光缆2一同回收后,对光缆端部3进行处理;

C、将光缆护套7穿入已铺设光缆中,并将未铺设光缆与已铺设光缆进行熔接,光缆熔接点6在海管节点处;

D、将光缆护套移动至熔接点处,并对光缆护套两端与光缆间进行密封处理;

E、在海管节点处的防腐工作完成后,在海管节点处固定光缆;

F、在海管节点处进行设置发泡层,光缆护套包覆于发泡层中。

弃管开始前,在至少超出海管节点2米处对光缆进行截断,从而为光纤的后续熔接留出余量。

光缆护套的内径大于光缆直径,且光缆护套的外径小于发泡层厚度,使光缆护套在发泡层中。

步骤E中,在海管节点处设置两条固定光缆的绑带,并在海管节点的两端分别设置一条绑带固定海管节点两侧的光缆,通过绑带加固光缆与海管,防止光缆在熔接点处断开。

以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,虽然本发明已以较佳实施例公开如上,然而,并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内,当然会利用揭示的技术内容作出些许更动或修饰,成为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均属于本发明技术方案的范围内。

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