[发明专利]闪烁光纤阵列探测组件

权利要求书

1.一种闪烁光纤阵列探测组件，包括光纤阵列中每根平行排列的光纤，其特征在于：每根平行排列的光纤闪烁玻璃芯料棒包覆在皮料管中，光纤闪烁玻璃芯料为掺Re硅酸盐闪烁玻璃，在相邻光纤之间的空隙中填充有将每根光纤隔离开的光吸收料填充因子。

2.如权利要求1所述的闪烁光纤阵列探测组件，其特征在于：皮料为热性能与闪烁玻璃芯料相匹配的材料，皮料直径为0.5～5微米；

如权利要求1所述的闪烁光纤阵列探测组件，其特征在于：闪烁玻璃芯料的直径为6～100微米,且闪烁玻璃芯料和皮料折射率满足数值孔径的要求，控制每个所述光纤单元内产生的闪烁光沿预定路线传播。

3.如权利要求1所述的闪烁光纤阵列探测组件，其特征在于：吸收料充分填充在光纤的每个空隙，将每根光纤隔离分开。

4.如权利要求1所述的闪烁光纤阵列探测组件，其特征在于：当X射线进入闪烁光纤阵列后，进入闪烁玻璃芯料的X射线A转化为可见光L1、L2、R，其中L1传输到阵列的表面，被光电转换器接收处理，L2、R被吸收料吸收。

5.如权利要求1所述的闪烁光纤阵列探测组件，其特征在于：进入吸收料的X射线B直接被吸收料吸收。

6.如权利要求1所述的闪烁光纤阵列探测组件，其特征在于：掺杂稀土离子Re硅酸盐闪烁玻璃Re包括：Ce³⁺、Eu³⁺、Tb³⁺和Dy³⁺。

7.如权利要求1所述的闪烁光纤阵列探测组件，其特征在于：按质量百分比，掺Re硅酸盐闪烁玻璃闪烁玻璃芯料含有：二氧化硅SiO₂：43wt％～50wt％、氧化锂Li₂O：15wt％～20wt％、氧化铽或铯、铥、铕ReO：10wt％～15wt％、氧化钡BaO：7wt％～12wt％、氧化钆Gd₂O₃：8wt％～13wt％、氧化铯Cs₂O：5wt％～10wt％、氧化钠Na₂O：1wt％～3wt％、氧化钾K₂O：0wt％～2wt％、三氧化二铝Al₂O₃1：wt％～3wt％。

8.如权利要求1所述的闪烁光纤阵列探测组件，其特征在于：按质量百分比，皮料含有：二氧化硅SiO₂：65～75wt％、三氧化二硼B₂O₃：7～15wt％、氧化钾K₂O：3～10wt％、氧化钠Na₂O：3～8wt％、氧化镁MgO：2～5wt％、三氧化二铝Al₂O₃：3～6wt％。

9.如权利要求1所述的闪烁光纤阵列探测组件，其特征在于：按质量百分比，用于吸收500～700波长光谱及X射线的吸收料含有：二氧化硅SiO₂55～65wt％、氧化钡BaO：12～18wt％、氧化铯Cs₂O：7～12wt％、氧化镧La₂O₃：5～10wt％、氧化锂Li₂O：15～20wt％、三氧化二铅Pb₂O₃：5～10wt％、氧化钠Na₂O：1～5wt％、三氧化二铝Al₂O₃：1～5wt％、氧化钾K₂O：0～4wt％、氧化钴CoO：0～3wt％、三氧化二锑Sb₂O₃：0～2wt％。