[发明专利]处理装置以及处理方法有效
申请号: | 201510733793.2 | 申请日: | 2015-11-03 |
公开(公告)号: | CN105575792B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 平林英明;长岛裕次 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种处理装置,具备:
收纳部,收纳氢氟酸缓冲液;
处理部,使用上述氢氟酸缓冲液来进行处理物的处理;
供给部,将上述收纳部所收纳的上述氢氟酸缓冲液向上述处理部供给;
回收部,将在上述处理部中使用过的上述氢氟酸缓冲液回收而向上述收纳部供给;
运算部,对上述氢氟酸缓冲液的蒸发量进行运算;以及
补充液供给部,基于由运算部求出的氢氟酸缓冲液的蒸发量,将包含氨和水的补充液向上述氢氟酸缓冲液供给,
上述补充液的氨的浓度是2wt%以上且4wt%以下。
2.如权利要求1所述的处理装置,
上述运算部根据处理时间、和事先求出的上述氢氟酸缓冲液的蒸发量与上述处理时间之间的关系,对上述氢氟酸缓冲液的蒸发量进行运算。
3.如权利要求1所述的处理装置,
上述运算部基于从由上述收纳部中的上述氢氟酸缓冲液的液面的位置、上述收纳部中的上述氢氟酸缓冲液的重量、上述氢氟酸缓冲液的粘度、以及上述氢氟酸缓冲液的氢离子指数构成的组中选出的至少一种,对上述氢氟酸缓冲液的蒸发量进行运算。
4.如权利要求1所述的处理装置,
还具备对上述收纳部中的上述氢氟酸缓冲液的液面的位置进行检测的检测部。
5.如权利要求4所述的处理装置,
上述运算部基于来自上述检测部的输出,对上述氢氟酸缓冲液的蒸发量进行运算。
6.如权利要求1所述的处理装置,
还具备对上述收纳部中的上述氢氟酸缓冲液的重量进行检测的重量计或负荷传感器。
7.如权利要求6所述的处理装置,
上述运算部基于来自上述重量计或上述负荷传感器的输出,对上述氢氟酸缓冲液的蒸发量进行运算。
8.如权利要求1所述的处理装置,
还具备对上述氢氟酸缓冲液的粘度进行检测的粘度计。
9.如权利要求8所述的处理装置,
上述粘度计设置于上述收纳部、上述供给部、以及上述回收部的至少某一个。
10.如权利要求8所述的处理装置,
上述运算部基于来自上述粘度计的输出,对上述氢氟酸缓冲液的蒸发量进行运算。
11.如权利要求1所述的处理装置,
还具备对上述氢氟酸缓冲液的氢离子指数进行检测的pH传感器。
12.如权利要求11所述的处理装置,
上述pH传感器设置于上述收纳部、上述供给部、以及上述回收部的至少某一个。
13.如权利要求11所述的处理装置,
上述运算部基于来自上述pH传感器的输出,对上述氢氟酸缓冲液的蒸发量进行运算。
14.如权利要求1所述的处理装置,
上述补充液供给部具有对上述补充液的供给流量进行测定的流量计。
15.一种处理方法,具备如下工序:
使用氢氟酸缓冲液来进行处理物的处理;
将上述处理物的处理中使用过的上述氢氟酸缓冲液回收并再利用已回收的上述氢氟酸缓冲液;
确定已回收的上述氢氟酸缓冲液的蒸发量;以及
基于已确定的氢氟酸缓冲液的蒸发量,向被再利用的上述氢氟酸缓冲液供给补充液,上述补充液包括氨和水,
上述补充液的氨的浓度是2wt%以上且4wt%以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造