[发明专利]一种半透半反液晶显示阵列基板、制造方法及显示装置

权利要求书

1.一种半透半反液晶显示阵列基板，包括透明区和反射区，其特征在于，所述阵列基板包括：

第一基板；

栅电极，形成于所述第一基板上；

第一绝缘层，形成于所述栅电极和第一基板之上；

有源层，形成于所述栅电极上方的所述第一绝缘层之上；

源电极和漏电极，形成于所述有源层上方；

第二绝缘层，形成于所述源电极、漏电极和第一绝缘层上；

平坦层，形成于所述反射区的第二绝缘层上；

第一公共电极，形成于所述第二绝缘层和平坦层上；

第三绝缘层，形成于所述第一公共电极和第二绝缘层上；

像素电极，形成于所述第三绝缘层上方，与所述漏电极电连接；在俯视下，所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场；

反射电极，形成于所述反射区的像素电极上。

2.一种半透半反液晶显示阵列基板，包括透明区和反射区，其特征在于，所述阵列基板包括：

第一基板；

栅电极，形成于所述第一基板上；

第一绝缘层，形成于所述栅电极和第一基板之上；

有源层，形成于所述栅电极上方的所述第一绝缘层之上；

源电极和漏电极，形成于所述有源层上方；

第二绝缘层，形成于所述源电极、漏电极和第一绝缘层上；

平坦层，形成于所述反射区的第二绝缘层上；

像素电极，形成于所述第二绝缘层和平坦层上方，与所述漏电极电连接；

第三绝缘层，形成于所述像素电极上；

第一公共电极，形成于所述第三绝缘层上；在俯视下，所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场；

第四绝缘层，形成于所述第一公共电极上；

反射电极，形成于所述反射区的第四绝缘层和第三绝缘层上，与所述像素电极电连接。

3.根据权利要求1或2所述的半透半反液晶显示阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极包括多个环状第一公共子电极。

4.根据权利要求1或2所述的半透半反液晶显示阵列基板，其特征在于，所述环状为方形或圆形或多边形。

5.根据权利要求3所述的半透半反液晶显示阵列基板，其特征在于，所述像素电极图案形状与所述第一公共子电极相对应，为方形或圆形或多边形。

6.根据权利要求1或2所述的半透半反液晶显示阵列基板，其特征在于，所述平坦层表面呈波浪或镜面形。

7.一种半透半反液晶显示阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括透明区和反射区，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一基板；

在所述第一基板上沉积金属薄膜，通过构图工艺，在所述第一基板上形成栅电极；

在所述形成栅电极的第一基板上沉积栅极绝缘层薄膜，形成第一绝缘层；在所述栅电极上方的所述第一绝缘层上形成有源层；

在所述有源层上方形成源电极和漏电极；

在完成上述步骤的所述第一基板上沉积绝缘层薄膜，形成第二绝缘层；

在所述反射区的第二绝缘层上沉积绝缘层，形成平坦层；

在所述平坦层和第二绝缘层上沉积金属薄膜，通过构图工艺，形成第一公共电极；

在完成上述步骤的所述第一基板上沉积绝缘层薄膜，形成第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上沉积像素电极薄膜，通过过孔形成与所述漏电极电连接的像素电极；在俯视下，所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场；

在所述反射区的像素电极上沉积金属薄膜，形成反射电极。