[发明专利]一种500m3高炉支铁沟浇注料在审
申请号: | 201510735432.1 | 申请日: | 2015-11-03 |
公开(公告)号: | CN105439573A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 万燕杰 | 申请(专利权)人: | 万燕杰 |
主分类号: | C04B35/66 | 分类号: | C04B35/66 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 314400 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 500 sup 高炉 支铁沟 浇注 | ||
技术领域
本发明涉及一种500m3高炉支铁沟浇注料,属于冶金用耐火材料领域。
背景技术
现有的支铁沟浇注料大多为Al2O3-SiC-C质浇注料,但是普通的Al2O3-SiC-C质支铁沟浇注料在高炉上使用,一次性通铁量在12万吨左右。随着强化冶炼,提高铁水产量的需求日益突出,支铁沟要求一次性通铁量大的需求也越来越迫切,但是目前支铁沟因为抗侵蚀性差,抗热震性差,出现了热剥落和结构剥落,是支铁沟寿命短的重要原因。
CN102101782A公开了一种铁沟浇注料,所述浇注料由镁铝尖晶石、棕刚玉、碳化硅、改性纳米碳粉、SiO2微粉、铝酸钙水泥、α-Al2O3微粉、防爆纤维、金属硅粉、三聚磷酸钠、Al(OH)3和Mg(OH)2复合溶胶悬浮液组成。然而这种以棕刚玉为主成分的浇注料,抗热震性差,容易导致热剥落和结构剥落,使得支铁沟修补作业频率大幅度提高,给高炉稳定安全生产带来较大隐患,此外,溶胶作为结合剂粘度大,不易施工,成本较高,仍需改进。
发明内容
本发明的目的是提供一种抗热震性能好,可以较好的抵抗铁水侵蚀,减少剥落,使用寿命长的一种高炉支铁沟浇注料。
本发明的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:一种500m3高炉支铁沟浇注料,所述浇注料包括主料和外加剂,其中主料的组分由以下重量份数的组分组成::8-5mm硅酸镁:5-8份,5-3mm一氮化铬:15-20份,3-1mm莫来石:10-15份,1-0mm亚铬酸钙:8-15份,偏粘土粉2-5份,氧化钴铝粉:3-7份,切割粉:5-10份,土状石墨粉3-8份;复合炭粉1-2份;三氧化钼粉0-3份;氧化铝微粉3-5份,氧化镁铁粉1-5份,ρ氧化铝1-3份,电熔纯铝酸钙水泥0-5份;外加剂按上述主料总重量份数为100%,外加剂的重量份数为:木质素磺酸钙0.1-0.2份,纳米土豆粉0.01-0.05份,苹果酸0.01份,C12H14N4O5S20.1份。
进一步的,所述偏粘土粉为首先粘土经过热处理后得到偏高岭土的成分所占重量比达60%以上的物质A,物质A与白榴石、糊精按重量比8.5:1.2:0.3混合均匀,即为偏粘土粉。
进一步的,所述的切割粉为单晶硅生产过程中切割单晶硅产生的切削粉,所述主要成分为SiC50-70%,单质硅30-50%;所述的纳米土豆粉,是把土豆淀粉进行超细处理成纳米尺度的粉。
进一步的,所述的复合炭粉为白炭,糖炭,沥青焦炭重量比1:2:7的混合物。
优先的,所述浇注料的重量份组成为:8-5mm硅酸镁:8份,5-3mm一氮化铬:20份,3-1mm莫来石:12份,1-0mm亚铬酸钙:15份,偏粘土粉5份,氧化钴铝粉:7份,切割粉:10份,土状石墨粉8份;复合炭粉2份;ρ氧化铝2份,氧化铝微粉3份,三氧化钼粉2份;氧化镁铁粉4份,电熔纯铝酸钙水泥2份;外加剂按上述主料总重量份数为100%,外加剂的重量份数为:木质素磺酸钙0.16份,纳米土豆粉0.05份,苹果酸0.01份,C12H14N4O5S20.1份。
优先的,所述浇注料的重量份组成为:8-5mm硅酸镁:10份,5-3mm一氮化铬:20份,3-1mm莫来石:15份,1-0mm亚铬酸钙:14份,偏粘土粉4份,氧化钴铝粉:6份,切割粉:9份,土状石墨粉8份;复合炭粉2份;ρ氧化铝2份,氧化铝微粉3份,三氧化钼粉2份;氧化镁铁粉3份,电熔纯铝酸钙水泥2份;外加剂按上述主料总重量份数为100%,外加剂的重量份数为:木质素磺酸钙0.16份,纳米土豆粉0.05份,苹果酸0.01份,C12H14N4O5S20.1份。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万燕杰,未经万燕杰许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510735432.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- <100>N<SUP>-</SUP>/N<SUP>+</SUP>/P<SUP>+</SUP>网状埋层扩散抛光片
- 零50电力L<SUP>2</SUP>C<SUP>2</SUP>专用接口<SUP></SUP>
- 高保真打印输出L<SUP>*</SUP>a<SUP>*</SUP>b<SUP>*</SUP>图像的方法
- 在硅晶片上制备n<sup>+</sup>pp<sup>+</sup>型或p<sup>+</sup>nn<sup>+</sup>型结构的方法
- <sup>79</sup>Se、<sup>93</sup>Zr、<sup>107</sup>Pd联合提取装置
- <sup>79</sup>Se、<sup>93</sup>Zr、<sup>107</sup>Pd联合提取装置
- <sup>182</sup>Hf/<sup>180</sup>Hf的测定方法
- 五环[5.4.0.0<sup>2</sup>,<sup>6</sup>.0<sup>3</sup>,<sup>10</sup>.0<sup>5</sup>,<sup>9</sup>]十一烷二聚体的合成方法
- 含烟包装袋中Li<sup>+</sup>、Na<sup>+</sup>、NH<sub>4</sub><sup>+</sup>、K<sup>+</sup>、Mg<sup>2+</sup>、Ca<sup>2+</sup>离子的含量测定方法
- <base:Sup>68