[发明专利]新晶体结构酞菁铁纳米线及其制备方法

权利要求书

1.一种制备酞菁铁纳米线的方法，所述酞菁铁纳米线的X-射线衍射谱，测试条件：Cu_Kα1，0.02°/step/2s，在下列的2θ±0.10°处具有特征峰：6.92°、8.70°、9.88°、15.67°、24.11°、26.06°；且对应于上述2θ，半峰宽分别为0.562、0.515、0.324、0.502、0.336、0.306；分别对应于上述2θ，相对衍射强度分别为100％、6.5％、4.7％、18.2％、4.4％、8.7％；所述方法包括下列步骤：

a)将酞菁铁原料置于管式炉中的加热区域；

b)在载气氛围下，加热酞菁铁原料至最高500℃，得到升华的气态酞菁铁；

c)通过该载气，引导该升华的气态酞菁铁离开该加热区域，至温度较该加热区域低的生长区域；

d)在该生长区域，得到酞菁铁纳米线；

所述生长区域的温度为室温；

在所述加热区域和所述生长区域之间设置60-90mm的间隙；其中在间隙中设置隔温材料，且隔温材料中设置通气孔；所述载气在所述通气孔内的流速为1L/min-9L/min。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤b)中，加热酞菁铁原料至最高490℃。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于在所述步骤b)中，以阶梯升温的方式加热，先预热至400℃，然后再阶梯式升温至最高温度，所述阶梯式升温的升温间隔为1℃-30℃、且升温速率为1℃-5℃/min。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述载气在入口处的流速为0.2L/min-0.6L/min，所述载气在通过所述酞菁铁原料时的流速为0.2L/min-0.6L/min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤b)中，加热酞菁铁原料至最高460℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述酞菁铁纳米线具有下列的傅氏转换红外线光谱(FTIR)特征峰：725cm^-1、752cm^-1、775cm^-1、1080cm^-1、1118cm^-1、1165cm^-1、1288cm^-1、1330cm^-1、1419cm^-1、1493cm^-1、1512cm^-1、1612cm^-1。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述酞菁铁纳米线的平均直径为约70nm。