[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底；

第一多沟道有源图案，位于基底上；

场绝缘层，设置在第一多沟道有源图案上并且包括第一区域和第二区域，第一区域具有从第二区域的顶表面向第一多沟道有源图案的顶表面突出的顶表面；

第一栅电极，穿过第一多沟道有源图案，第一栅电极设置在场绝缘层上；以及

第一源极或漏极，设置在第一栅电极和场绝缘层的第一区域之间，并且包括具有第一刻面的上表面，第一刻面被设置为在比第一多沟道有源图案的顶表面低的点处与场绝缘层的第一区域相邻，

其中，第一刻面与场绝缘层的第一区域之间的距离随着第一刻面远离基底而增大，并且

其中，所述半导体装置还包括设置在场绝缘层的第一区域上的虚设栅电极。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，第一源极或漏极与场绝缘层的第一区域直接接触。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，第一刻面与场绝缘层的第一区域的侧壁接触。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，第一栅电极的顶表面与虚设栅电极的顶表面共面。

5.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括设置在虚设栅电极的侧壁上的间隔件，

其中，间隔件的底表面的至少一部分与第一源极或漏极叠置。

6.如权利要求5所述的半导体装置，所述半导体装置还包括介于第一源极或漏极的与间隔件叠置的区域和间隔件之间的绝缘图案。

7.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

第二多沟道有源图案，与第一多沟道有源图案平行，场绝缘层的第一区域介于第一多沟道有源图案和第二多沟道有源图案之间；

第二栅电极，穿过第二多沟道有源图案，第二栅电极设置在场绝缘层上；以及

第二源极或漏极，设置在第二栅电极和场绝缘层的第一区域之间，

其中，第二源极或漏极包括被设置为与场绝缘层的第一区域的侧壁相邻的第二刻面。

8.如权利要求7所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

间隔件，设置在虚设栅电极的侧壁上，

其中，间隔件的底表面与第一源极或漏极以及第二源极或漏极叠置。

9.如权利要求7所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

间隔件，设置在虚设栅电极的侧壁上，

其中，间隔件的底表面与第一源极或漏极叠置，且不与第二源极或漏极叠置。

10.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底；

多沟道有源图案，位于基底上；

场绝缘层，设置在多沟道有源图案的至少两侧上，并且包括第一区域和第二区域；

虚设栅电极，设置在场绝缘层的第一区域上；

栅电极，穿过多沟道有源图案，栅电极设置在场绝缘层的第二区域上，栅电极具有比虚设栅电极的高度大的高度；以及

源极或漏极，设置在栅电极和虚设栅电极之间，并且包括具有刻面的上表面，

其中，刻面与场绝缘层的第一区域的侧壁相邻，并且

其中，刻面与场绝缘层的第一区域之间的距离随着刻面远离基底而增大。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其中，介于场绝缘层的第一区域的侧壁和刻面之间的材料与多沟道有源图案的材料不同。

12.如权利要求10所述的半导体装置，其中，场绝缘层的第一区域的高度比场绝缘层的第二区域的高度大。

13.如权利要求10所述的半导体装置，其中，场绝缘层的第一区域包括与源极或漏极叠置的突出部。