[发明专利]台面型雪崩光电探测器

权利要求书

1.一种台面型雪崩光电探测器，用于高速单光子探测，包括：

一衬底；

一N型欧姆接触层，其制作在衬底上；

一吸收层，其制作在N型欧姆接触层上的中间位置，该N型欧姆接触层的两侧形成台面；

一电荷层，其制作在吸收层上；

一倍增层，其制作在电荷层上；

一欧姆接触层，其扩散或外延制作在倍增层上的中间部位；

一N型金属电极，其制作在N型欧姆接触层表面的两侧台面上；

一P型金属电极，其制作在欧姆接触层和倍增层表面的连接处，该P型金属电极的中间形成一窗口；

一减反层，其制作在P型金属电极中间的窗口内；

一侧壁高掺层，其制作在梯形的吸收层的侧壁上，该侧壁高掺层的下端延伸到N型欧姆接触层的表面，上端延伸到倍增层顶缘；

一表面钝化层，其制作在侧壁高掺层的上面，并覆盖部分倍增层。

2.如权利要求1所述的台面型雪崩光电探测器，其中侧壁高掺层为P型，与之相邻的吸收层、电荷层和倍增层形成侧向结。

3.如权利要求1所述的台面型雪崩光电探测器，其中所述制作的侧壁高掺层是通过注入或者扩散的方法进行的。

4.如权利要求1所述的台面型雪崩光电探测器，其中该吸收层的断面为梯形结构或陡直的结构，该吸收层的侧壁是用湿法构建或采用离子刻蚀方法形成。

5.如权利要求1所述的台面型雪崩光电探测器，其中欧姆接触层的材料是InP的P型扩散结构，或是InP/InGaAs的外延结构。

6.如权利要求5所述的台面型雪崩光电探测器，其中欧姆接触层是通过两次扩散形成的。