[发明专利]一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法

权利要求书

1.一种光伏装置，包括光源和光伏器件，所述光伏器件包括低阻光增益半导体衬底、位于所述低阻光增益半导体衬底上的绝缘层、所述绝缘层的暴露出所述低阻光增益半导体衬底的一部分的开口、连续的石墨烯层、第一电极和第二电极，其中，所述石墨烯层的一部分位于所述开口中的所述低阻光增益半导体上，另一部分位于所述绝缘层上，所述第一电极位于所述开口中，其一部分与所述低阻光增益半导体衬底接触，另一部分与所述石墨烯层接触，所述第二电极位于所述绝缘层和所述石墨烯层上，其一部分与所述石墨烯层接触，另一部分与所述绝缘层接触，其中，所述光源发射的光的能量大于所述低阻光增益半导体衬底的带隙。

2.根据权利要求1所述的光伏装置，其中，所述低阻光增益半导体衬底为低阻有机半导体或低阻无机半导体。

3.根据权利要求1所述的光伏装置，其中，所述低阻光增益半导体衬底为单一块体或多层半导体薄膜。

4.根据权利要求3所述的光伏装置，其中，所述光源为紫外光源，所述低阻光增益半导体衬底为SiC，或者所述光源为532nm的绿光，所述低阻光增益半导体衬底为Si、GaAs或GaP，或者所述光源为632nm的红光，所述低阻光增益半导体衬底为Si衬底上的GaAs。

5.根据权利要求1所述的光伏装置，其中，所述绝缘层为SiO₂、SiN。

6.根据权利要求1所述的光伏装置，其中，所述第一电极和第二电极为金属电极或ITO电极。

7.根据权利要求6所述的光伏装置，其中，所述金属电极为镂空状。

8.根据权利要求1所述的光伏装置，还包括分别电连接至所述第一电极和所述第二电极的第一引线和第二引线。

9.根据权利要求8所述的光伏装置，还包括将所述低阻光增益半导体衬底、所述石墨烯层、所述绝缘层、所述第一和第二电极以及所述第一和第二引线进行封装的封装壳体，其中所述封装壳体具有通光窗口。

10.一种采用权利要求1-9中任一项所述的光伏装置产生光伏效应的方法。