[发明专利]包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统

权利要求书

1.一种用于处理基板的系统，所述系统包括：

沉积腔室，其中，所述沉积腔室被配置成将膜沉积在所述基板上，所述沉积腔室包括：

第一基板支撑件，所述第一基板支撑件可被配置在下降位置和提升位置之间，所述第一基板支撑件具有第一基板接收表面，所述第一基板接收表面配置为在处理期间支撑所述基板；

处理腔室，其中，所述处理腔室被布置成从所述沉积腔室接收所述基板，并且传送所述基板远离所述沉积腔室，所述处理腔室进一步包括：

第二基板支撑件，所述第二基板支撑件可被配置在下降位置和提升位置之间，所述第二基板支撑件具有第二基板接收表面，所述第二基板接收表面配置为在处理期间支撑所述基板；以及

包括喷淋头的膜特性更改装置，所述膜特性更改装置可操作以处理设置在所述处理腔室中的所述基板，从而更改在所述沉积腔室中所沉积的膜的特性；

至少一个隔离区域，所述至少一个隔离区域被定位成将所述沉积腔室与所述处理腔室分开，所述隔离区域直列地设置在所述沉积腔室与所述处理腔室之间；以及

运动机构，所述运动机构被配置成沿着在所述沉积腔室和所述处理腔室之间设置的导轨将所述基板从所述沉积腔室移动至所述处理腔室，所述运动机构包括：

基板载体，在所述基板载体中形成有基板接收匣，所述基板接收匣由弓形开口和所述基板载体中的槽限定，其中升降杆被配置为延伸穿过所述弓形开口以将所述基板定位在所述第一基板支撑件的所述第一基板接收表面上，且其中所述升降杆被配置为通过所述槽，以使得当所述升降杆被延伸时所述基板载体相对于所述升降杆可横向移动。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述运动机构进一步包括设置在所述沉积腔室外部的磁电机。

3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述沉积腔室选自由以下各项组成的组：化学气相沉积(CVD)腔室、旋涂涂布腔室、可流动型(CVD)腔室、物理气相沉积(PVD)腔室、原子蒸气沉积(ALD)腔室以及外延沉积腔室。

4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述处理腔室选自由以下各项组成的组：热处理腔室、激光处理腔室、电子束处理腔室、UV处理腔室、离子束注入腔室以及离子浸没注入腔室。

5.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述处理腔室是退火腔室。

6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，所述退火腔室是快速热退火腔室。

7.根据权利要求4-6中任一项所述的系统，其特征在于，所述隔离区域包括：

气幕。

8.根据权利要求4-6中任一项所述的系统，其特征在于，所述隔离区域包括：

狭缝阀。

9.根据权利要求4-6中任一项所述的系统，进一步包括：

负载锁定站，所述沉积腔室被设置在所述负载锁定站与所述处理腔室之间。

10.根据权利要求1所述的系统，进一步包括：

在所述沉积腔室下游的第二处理腔室。

11.根据权利要求1所述的系统，进一步包括：

在所述处理腔室上游的第二沉积腔室。