[发明专利]各向异性镀敷方法以及薄膜线圈

权利要求书

1.一种各向异性镀敷方法，其特征在于：

具备：

将由具有第1线宽度、第1间隔宽度以及第1厚度的第1线和间隔图形构成的预镀图形形成于基板的主面的工序；

在将所述基板浸于镀敷液中的状态下使第1电流流向所述预镀图形，在没有个别地强制各个线图形的各向异性成长的框架的状态下，使所述预镀图形各向同性地镀敷成长，形成由具有宽于所述第1线宽度的第2线宽度、小于所述第1间隔宽度的第2间隔宽度以及厚于第1厚度的第2厚度并且在各个线图形的上部具有弯曲面的第2线和间隔图形构成的第1镀敷图形的工序；

在将所述基板浸于所述镀敷液中的状态下使大于所述第1电流的第2电流流向所述第1镀敷图形，在所述第1镀敷图形的表面产生金属离子稀薄层，并且搅拌所述镀敷液而部分地破坏各个线图形的上部的所述金属离子稀薄层，从而在没有个别地强制各个线图形的各向异性成长的框架的状态下，使所述第1镀敷图形各向异性地镀敷成长，形成由具有厚于所述第2厚度的第3厚度并且在各个线图形的上部具有弯曲面的第3线和间隔图形构成的第2镀敷图形的工序，

所述第1电流的电流密度为3～20A/dm²，

所述第2电流的电流密度为30～70A/dm²。

2.如权利要求1所述的各向异性镀敷方法，其特征在于：

所述镀敷液为包含铜离子以及光亮剂的硫酸铜镀敷液。

3.如权利要求1所述的各向异性镀敷方法，其特征在于：

将所述镀敷液的搅拌构件配置于所述基板的所述主面的上方，使所述搅拌构件在与所述基板平行的方向上反复进退移动来搅拌所述镀敷液，由此部分地破坏各个线图形的上部的所述金属离子稀薄层。

4.如权利要求3所述的各向异性镀敷方法，其特征在于：

所述搅拌构件是由截面为三角形的棒状体构成的桨。

5.如权利要求3所述的各向异性镀敷方法，其特征在于：

所述搅拌构件是由具有格子构造的板状构件构成的搅拌格子。

6.如权利要求1或2所述的各向异性镀敷方法，其特征在于：

使所述基板自身在与该基板平行的方向上反复进退移动来搅拌所述镀敷液，由此部分地破坏各个线图形的上部的所述金属离子稀薄层。

7.如权利要求1所述的各向异性镀敷方法，其特征在于：

所述第1～第3线和间隔图形为螺旋状图形。

8.如权利要求1所述的各向异性镀敷方法，其特征在于：

在形成所述第1镀敷图形之前，进一步具备形成包围所述预镀图形的至少最外侧的外部框架的工序，

所述外部框架具有垂直于所述基板的主面的侧面，该侧面形成于与所述最外侧的线图形的侧面隔开第3间隔宽度的位置。

9.如权利要求8所述的各向异性镀敷方法，其特征在于：

所述第3间隔宽度宽于所述第2间隔宽度。