[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上形成第一缓冲层，所述第一缓冲层为氮化硅缓冲层；

在所述第一缓冲层上形成遮光层,所述遮光层为金属遮光层；

在所述遮光层上形成第二缓冲层，所述第二缓冲层为氧化硅缓冲层；

在所述第二缓冲层上形成非晶硅层；

对所述非晶硅层进行激光退火，以形成多晶硅层，其中，在对所述非晶硅层进行激光退火时，部分激光能量穿过其下方的第二缓冲层，并经由所述金属遮光层反射至所述非晶硅层；通过第一道光罩工序对所述多晶硅层、所述第二缓冲层和所述遮光层进行刻蚀，以一次性形成遮光图案、缓冲图案和多晶硅图案；

在所述多晶硅图案上通过第二道光罩工序和掺杂工序在所述多晶硅图案上形成本征区域和位于所述本征区域两侧的掺杂区域，所述掺杂区域包括轻掺杂区域和重掺杂区域，所述轻掺杂区域位于所述本征区域与所述重掺杂区域中间，所述轻掺杂区域和所述重掺杂区域是通过离子注入或扩散的方式而形成，所述轻掺杂区域与所述重掺杂区域离子注入或扩散的剂量不同,其中，所述重掺杂区域和所述轻掺杂区域在相同的光罩工序中同时实现，且所述第二道光罩工序中的光罩为半调掩膜。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法进一步包括：

在所述多晶硅图案上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上依次形成栅极图案和第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成通孔；

在所述第二绝缘层上形成源极图案和漏极图案，其中所述源极图案和所述漏极图案通过所述通孔与所述多晶硅图案电连接。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述第一绝缘层上依次形成栅极图案、第二绝缘层的步骤进一步包括：

在所述第一绝缘层上形成栅极层；

通过第三道光罩工序对所述栅极层进行图案化，以形成所述栅极图案；

在所述栅极图案上形成所述第二绝缘层。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述在所述栅极图案上形成所述第二绝缘层的步骤进一步包括：

在所述栅极图案上依次形成氧化硅绝缘层和氮化硅绝缘层。

5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第二绝缘层上形成通孔的步骤进一步包括：

通过第四道光罩工序分别在所述第二绝缘层对应所述掺杂区域的位置形成所述通孔。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在所述第二绝缘层上形成源极图案和漏极图案的步骤包括：

在带有通孔的所述第二绝缘层上进一步形成导电层，并通过第五道光罩工序对所述导电层进行图案化，以在所述通孔的位置形成所述源极图案和所述漏极图案。