[发明专利]植入式器件的密封结构及其制造方法

权利要求书

1.一种植入式器件的密封结构，其特征在于：

包括：

陶瓷基底，其具有上表面和下表面，并且形成有贯通所述上表面与所述下表面的一个以上的通孔；

金属柱，其填充所述通孔，

在所述金属柱的与所述陶瓷基底的接触界面，形成有凹凸结构。

2.如权利要求1所述的植入式器件的密封结构，其特征在于：

所述陶瓷基底由99％以上的氧化铝构成。

3.如权利要求1或2所述的植入式器件的密封结构，其特征在于：

所述陶瓷基底的厚度为0.25mm以上且0.75mm以下。

4.如权利要求1或2所述的植入式器件的密封结构，其特征在于：

所述金属柱由选自铂、铱、铌、钽或金中的至少一种构成。

5.如权利要求1或2所述的植入式器件的密封结构，其特征在于：

所述通孔的在所述上表面的直径为0.1mm以上且0.5mm以下。

6.一种植入式器件的密封结构的制造方法，其特征在于：

包括：

准备金属柱，并且在所述金属柱的一部分，沿着所述金属柱的长度方向形成有凹凸结构；

将所述金属柱插进陶瓷膏体，并且所述陶瓷膏体覆盖所述金属柱的形成有所述凹凸结构的所述一部分；

将所述陶瓷膏体压制成型，形成陶瓷坯片；并且

将所述金属柱与所述陶瓷坯片一起烧结，由此形成带有所述金属柱的陶瓷基底。

7.如权利要求6所述的植入式器件的密封结构的制造方法，其特征在于：

所述陶瓷基底由99％以上的氧化铝构成。

8.如权利要求6或7所述的植入式器件的密封结构的制造方法，其特征在于：

所述陶瓷基底的厚度为0.25mm以上且0.75mm以下。

9.如权利要求6或7所述的植入式器件的密封结构的制造方法，其特征在于：

所述金属柱由选自铂、铱、铌、钽或金中的至少一种构成。

10.如权利要求6或7所述的植入式器件的密封结构的制造方法，其特征在于：

所述通孔的在所述陶瓷基底的上表面的直径为0.1mm以上且0.5mm以下。