[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510737969.1 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN105226104B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李诚瞻;高云斌;史晶晶;周正东;吴煜东;丁荣军 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种碳化硅肖特基二极管，其特征在于，包括：
第一掺杂类型碳化硅衬底；
位于所述衬底一侧的阴极；
位于所述衬底背离所述阴极一侧的外延层；
位于所述外延层表面的阳极；
所述外延层的掺杂浓度由所述阳极边界至所述衬底边界逐渐增高。
2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述外延层的掺杂浓度的分布方式为线性分布或余误差分布或高斯分布。
3.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述二极管还包括：
位于所述外延层表面内部的多个第二掺杂类型的结区。
4.根据权利要求3所述的二极管，其特征在于，所述二极管还包括：
位于所述外延层表面内部、所述多个结区两侧的结终端保护区。
5.根据权利要求4所述的二极管，其特征在于，所述二极管还包括：
位于所述外延层表面、覆盖所述结终端保护区的终端钝化层。
6.根据权利要求5所述的二极管，其特征在于，所述终端钝化层为二氧化硅层或氮化硅层。
7.一种碳化硅肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：
提供第一掺杂类型的碳化硅衬底；
在所述衬底一侧生长外延层，所述外延层的掺杂浓度由所述衬底边界至所述外延层表面逐渐降低；
在所述外延层表面形成所述二极管的阳极；
在所述衬底背离所述外延层一侧形成所述二极管的阴极。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底一侧生长外延层之后，在所述外延层表面形成所述二极管的阳极之前还包括：
在所述外延层表面注入第二掺杂类型的粒子，在其表面内部形成多个结区。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底一侧生长外延层之后，在所述外延层表面形成所述二极管的阳极之前还包括：
在所述外延层表面注入第二掺杂类型的粒子，在其表面内部形成位于所述多个结区两侧的结终端保护区。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述外延层表面注入第二掺杂类型的粒子，在其表面内部形成位于所述多个结区两侧的结终端保护区之后，在所述外延层表面形成所述二极管的阳极之前还包括：
在所述外延层表面形成终端钝化层；
所述终端钝化层覆盖所述结终端保护区。
11.根据权利要求8-10任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述外延层表面形成所述二极管的阳极之后还包括：
在所述阳极表面形成阳极优化层。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述阳极优化层为铝金属层。
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