[发明专利]包含横向抑制二极管的双极晶体管

权利要求书

1.一种晶体管，其包括：

第一导电类型的射极，其安置于所述晶体管的顶部表面处且经配置以传导从外部源关联的电流；

第二导电类型的基极，其经配置以将所述电流在所述第一导电类型的集电极与所述射极之间传导，所述基极安置于所述晶体管的所述顶部表面处且横向地在所述射极与所述集电极之间；

所述集电极，其经配置以从所述基极吸引并收集少数载流子，及

所述第一导电类型的阴极，其环绕所述基极且安置于所述射极与所述集电极之间，所述阴极经配置以抑制所述少数载流子从所述基极到所述集电极的横向流动，其中所述阴极欧姆耦合到相对于所述基极的电压的正电压供应，所述正电压供应小于所述集电极的电压。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述射极包含p型经掺杂半导体材料，所述基极包含n型经掺杂半导体材料，且所述集电极包含p型经掺杂半导体材料。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述射极包含n型经掺杂半导体材料，所述基极包含p型经掺杂半导体材料，且所述集电极包含n型经掺杂半导体材料。

4.根据权利要求3所述的晶体管，其进一步包括二极管，所述二极管包含：

所述阴极，及

阳极，其安置于所述晶体管的所述顶部表面处、横向地在所述阴极旁边且与所述阴极直接物理接触。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述阴极欧姆耦合到所述基极。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其进一步包括安置成与所述晶体管的顶部表面直接物理接触的硅化物层，

其中所述硅化物层的第一部分与所述阴极直接物理接触，所述硅化物层的第二部分与所述基极直接物理接触，且所述硅化物层的所述第一部分及所述第二部分共同经配置以将所述阴极欧姆耦合到所述基极。

7.根据权利要求6所述的晶体管，其中所述阴极安置于所述集电极与所述硅化物层的所述第二部分之间。

8.根据权利要求6所述的晶体管，其中所述硅化物层的所述第二部分安置于所述集电极与所述阴极之间。

9.一种集成电路IC，其包括：

半导体衬底；

晶体管，其包括：

第一导电类型的射极，其安置于所述IC的顶部表面处且经配置以传导从外部源关联的电流，

第二导电类型的基极，其经配置以将所述电流在集电极与所述射极之间传导，所述基极安置于所述IC的所述顶部表面处且横向地在所述射极与所述集电极之间，

所述集电极，其经配置以从所述基极吸引并收集少数载流子，及

所述第一导电类型的阴极，其环绕所述基极且安置于所述射极与所述集电极之间，所述阴极经配置以抑制所述少数载流子从所述基极到所述集电极的横向流动，其中所述阴极欧姆耦合到相对于所述基极的电压的正电压供应，所述正电压供应小于所述集电极的电压；及

静电放电ESD装置，其包含：

第一半导体材料埋入层，其垂直地安置于所述衬底上方且与所述衬底直接物理接触，

第二半导体材料埋入层，其垂直地安置于所述第一半导体材料埋入层上方且与所述第一半导体材料埋入层直接物理接触，所述第二半导体材料埋入层具有与所述第一半导体材料埋入层及所述射极相反的掺杂极性，及

所述射极，其安置于半导体材料顶部层内，所述半导体材料顶部层垂直地安置于所述第二半导体材料埋入层上方。

10.根据权利要求9所述的IC，其中所述射极包含p型经掺杂半导体材料，所述基极包含n型经掺杂半导体材料，且所述集电极包含p型经掺杂半导体材料。

11.根据权利要求9所述的IC，其中所述射极包含n型经掺杂半导体材料，所述基极包含p型经掺杂半导体材料，且所述集电极包含n型经掺杂半导体材料。