[发明专利]可调内部栅极电阻器

说明书

技术领域

本公开涉及电压控制电路元件，尤其是场效应晶体管、诸如金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

背景技术

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是可被用作电源开关以控制电源电路中的电流流动（例如，开关模式电源）的电压控制电路元件的一个示例。绝缘栅双极型晶体管是可被用作电源开关以控制电源电路中的电流流动的电压控制电路元件的另一个示例。在电压控制电路元件的正常开关操作期间，所述电压控制电路元件可以经受能够引起损坏或以其他方式破坏电压控制电路元件的异常操作情况。

发明内容

一般，技术和电路被描述用于提供可调栅极电阻器，其对于电压控制电路元件的封装来说是内部的。例如，包括电压控制电路元件、诸如MOSFET的封装还可以包括光敏电阻器和半导体光源。光敏电阻器的电阻可以通过调整由半导体光源产生的光来调整。用于控制光敏电阻器的半导体光源可以包括发光二极管（LED）。

在一些示例中，LED和光敏电阻器可以被包裹在透明的材料中，其可以被不透明的材料所包围以使光敏电阻器与除来自LED的光之外的任何光隔离。LED还可以被配置成把光输送到光导材料中，所述光导材料把光输送到光敏电阻器。例如，所述光导材料可以位于LED的附近，所述LED具有覆盖封装中的元件的一些或全部的不透明材料。

在一个示例中，本公开针对包括通过半导体光源来控制耦合到电压控制电路元件的光敏电阻器的电阻值以及将电压施加到电压控制电路元件的方法，其中，控制光敏电阻器的电阻值控制跨所述光敏电阻器的电压降，以控制施加在电压控制电路元件的电压以便控制通过电压控制电路元件的电流。

在另一个示例中，本公开针对包括电压控制电路元件、耦合到电压控制电路元件的光敏电阻器以及半导体光源的电路元件，并且所述半导体光源被配置成调整光敏电阻器的电阻值，以及其中，所述电压控制电路元件、光敏电阻器和半导体光源位于一个封装内。

在附图和下面的描述中阐述了本公开的一个或多个示例的细节。本公开的其他特征、对象和优点将从描述和附图中以及从权利要求中显而易见。

附图说明

图1是图示出根据本公开的一个或多个方面的用于给负载供电的系统的示例的电路图，所述负载包括具有被配置成减少在电压控制电路元件处的栅极振荡的可调内部栅极电阻器的封装。

图2是图示出根据本公开的一个或多个方面的具有被配置成减少在电压控制电路元件处的栅极振荡的可调内部栅极电阻器的封装的附加示例的电路图。

图3是图示出根据本公开的一个或多个方面的具有被配置成减少在电压控制电路元件处的栅极振荡的可调内部栅极电阻器的封装的附加示例的电路图。

图4是图示出根据本公开的一个或多个方面的具有被配置成减少在电压控制电路元件处的栅极振荡的可调内部栅极电阻器的封装的附加示例的电路图。

图5是图示出根据本公开的一个或多个方面的用于减少在电压控制电路元件处的栅极振荡的操作的示例的流程图。

图6-8是图示出根据本公开的一个或多个方面的具有电压控制电路元件和可调内部栅极电阻器的封装的示例结构的概念图。

具体实施方式

电源转换器（例如，LLC转换器、移相零电压开关转换器、三角形的电流模式功率因数修正级转换器、同步降压转换器等）可以包括在半桥电路中的电压控制电路元件。典型的半桥电路包括在开关节点处耦合到低侧元件的高侧电压控制电路元件（例如，诸如功率MOSFET之类的开关元件）。电源电路通过以这样的方式调制高侧电压控制电路元件来操作半桥电路以在开关节点处改变输出电压的水平。

在正常开关操作期间，电压控制电路元件可以经受能够引起损坏或以其他方式破坏所述电压控制电路元件的异常操作情况（例如，在MOSFET处的高电压或高电流）。电压控制电路元件的栅极振荡（例如，栅源极电压V_gs的振荡）是在开关期间可以引起电磁干扰（EMI）问题的异常操作情况的一种类型，其能够损坏或完全破坏所述电压控制电路元件。