[发明专利]一种用于提升电功率的封装结构及其太阳能模组在审
申请号: | 201510740362.9 | 申请日: | 2015-11-04 |
公开(公告)号: | CN105355687A | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 郭证翔;王榕蔓 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/054 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 提升 电功率 封装 结构 及其 太阳能 模组 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能发电技术,尤其涉及一种用于提升电功率的封装结构以及包含该封装结构的太阳能模组。
背景技术
近些年来,由于世界各地的原油存量逐年的减少,能源问题已成为全球注目的焦点。为了解决能源耗竭的危机,各种替代能源的发展与利用实为当务之急。随着环保意识抬头,加上太阳能具有零污染、取之不尽用之不竭的优点,太阳能发电技术已成为相关领域中最受瞩目的焦点。因此,在日照充足的位置,例如建筑物屋顶、广场等等,愈来愈广泛地见到太阳能面板的装设。
太阳能面板是一种通过光伏效应(PhotovoltaicEffect)将光线转化为电力的设施。一般来说,太阳能面板包括基板以及设置在基板上的多个太阳能电池片(solarcell)。在此,太阳能电池片也可以称之为“太阳能芯片”或“光伏电池”,它是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片,只要被光照射到,瞬间就可输出电压并且在有回路的情况下就能够产生电流。
在现有技术中,一种太阳能面板的实现架构包括背板以及位于该背板上方的封装结构。该封装结构依次包括一玻璃基板和一折射层,太阳能电池位于折射层的内部且其表面设有诸如氮化硅(Si3N4)材质的镀层。当太阳光从面板的正面垂直照射进入玻璃基板时,经过不同折射率的上述各层,最终到达太阳能电池进而发电。例如,玻璃基板的折射率为1.5,折射层的折射率为1.48,氮化硅材质的折射率为2.4,如此一来,不同的折射率将会使进入面板的部分太阳光发生反射,其反射导致的能量损失约为5.62%,大致相当于16.86瓦特。此外,当太阳光以一定角度从面板的正面斜射进入玻璃基板时,由于上述各层的折射率不同将造成光线的偏折,这种偏折可能使入射光根本无法到达电池正面。即使偏折光线利用背板表面的反射到达了电池,但该反射光线是进入电池背面,无法有效地回到电池正面进行发电。再者,电池表面上的氮化硅镀层使所有达到的太阳光造成了大量的反射,进而造成了电功率损失。
有鉴于此,如何设计一种可用于提升太阳能模组的电功率的封装结构,以降低太阳能反射所造成的能量损失,从而克服现有技术中的上述缺陷或不足,是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
发明内容
针对现有技术中的太阳能模组所存在的上述缺陷,本发明提供了一种新颖的、能够提升太阳能模组的电功率的封装结构以及包含该封装结构的太阳能模组。
依据本发明的一个方面,提供了一种用于提升太阳能模组的电功率的封装结构,所述太阳能模组包括多个电池单元,该封装结构包括:
一玻璃基板;
一第一折射层,位于所述玻璃基板的下方;
一第二折射层,位于所述第一折射层的下方,其中,所述第二折射层与所述第一折射层相接触的表面包括间隔分布的多个纹理部,相邻的纹理部之间包括一开口部;以及
多个光通道,设置于所述第二折射层的开口部,其中,所述光通道采用高透光性的第三折射层填充而成,以及所述第三折射层的折射率介于2.0至2.4之间。
在其中的一实施例,所述光通道位于所述电池单元的正上方,且所述光通道的面积大于或等于所述电池单元的面积。
在其中的一实施例,所述第三折射层为氧化钛材质。
在其中的一实施例,第一折射层的折射率介于1.5~2.0之间。
在其中的一实施例,所述第一折射层为氧化锌材质。
在其中的一实施例,第二折射层的折射率介于0~1.5之间。
在其中的一实施例,所述第二折射层为乙烯-醋酸乙烯酯材质。
依据本发明的另一个方面,提供了一种太阳能模组,包括多个电池单元,其中,所述太阳能模组还包括一背板以及位于所述背板上方的一封装结构,该封装结构包括:
一玻璃基板;
一第一折射层,位于所述玻璃基板的下方;
一第二折射层,位于所述第一折射层的下方,其中,所述第二折射层与所述第一折射层相接触的表面包括间隔分布的多个纹理部,相邻的纹理部之间包括一开口部;以及
多个光通道,设置于所述第二折射层的开口部,其中,所述光通道采用高透光性的第三折射层填充而成,以及所述第三折射层的折射率介于2.0至2.4之间。
在其中的一实施例,所述光通道位于所述电池单元的正上方,且所述光通道的面积大于或等于所述电池单元的面积。
在其中的一实施例,所述电池单元的表面还包括一镀膜层,所述镀膜层为氮化硅材质且折射率为2.4。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的