[发明专利]微机电器件的制备方法

权利要求书

1.一种微机电器件的制备方法，其特征在于，包括：

图形化硅片，在所述硅片的表面形成若干光刻胶掩膜；其中，所述若干光刻胶掩膜之间形成所述硅片的暴露区；

在所述硅片的具有光刻胶掩膜的一侧沉积金属层；其中，所述金属层包括叠层设置的3nm～8nm厚的Ag层和8nm～12nm厚的Au层；

将所述具有金属层和光刻胶掩膜的硅片浸入刻蚀液中，所述暴露区被刻蚀，形成微机电器件。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属层包括依次叠层设置在所述光刻胶掩膜和所述硅片的暴露区的表面上的5nm厚的Ag层和10nm厚的Au层。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀液包括氢氟酸和过氧化氢；其中，在所述刻蚀液中，所述氢氟酸的质量分数为20％～23％，所述过氧化氢的质量分数为10％～12％。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述刻蚀液中，所述氢氟酸的质量分数为22％，所述过氧化氢的质量分数为11％。

5.根据权利要求1至4任一所述的制备方法，其特征在于，所述图形化硅片步骤具体包括：

在所述硅片上涂布光刻胶层；

对所述光刻胶层进行光刻曝光，在所述硅片的表面形成若干光刻胶掩膜。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为1μm～2μm。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层的光刻曝光时间为5.5s～7.5s。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述硅片上涂布光刻胶层之前，对所述硅片进行清洁处理；其中，清洁处理的方法具体包括：

将所述硅片依次置于丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗5min～10min；

将所述硅片置于浓硫酸和过氧化氢的混合溶液中进行无机清洗15min～20min；其中，所述浓硫酸和所述过氧化氢的体积之比为3:1；

用N₂吹干所述硅片。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在将所述具有金属层和光刻胶掩膜的硅片浸入所述刻蚀液中之前，将所述具有金属层和光刻胶掩膜的硅片浸入缓冲刻蚀液中30s～60s，用去离子水清洗后用N₂吹干。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲刻蚀液包括氢氟酸和氟化铵；其中，在所述缓冲刻蚀液中，所述氢氟酸和所述氟化铵的质量分数之比为1:5。