[发明专利]固态摄像装置及固态摄像装置的制造方法

权利要求书

1.一种固态摄像装置，其特征在于具备：

半导体层，设置有光电二极管与浮动扩散体；

像素晶体管的栅极，隔着栅极氧化膜设置于所述半导体层的表面；

周边电路晶体管的栅极，隔着所述栅极氧化膜设置于所述半导体层的表面；

氮化硅膜，隔着所述栅极氧化膜设置于所述半导体层中的所述光电二极管的上 表面；以及

侧壁，设置于所述像素晶体管的栅极的两侧面及所述周边电路晶体管的栅极的 两侧面中、除所述像素晶体管的栅极的所述光电二极管侧的侧面以外的至少一个侧 面。

2.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其特征在于：所述侧壁具有：

氮化硅膜，设置于所述像素晶体管及所述周边电路晶体管的栅极的侧面；以及

间隔片，含有设置于所述氮化硅膜的外侧的氧化硅膜。

3.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其特征在于：设置于所述光电二极管的上表 面的氮化硅膜从所述像素晶体管的栅极的所述光电二极管侧的侧面延伸至上表面 的一部分。

4.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其特征在于：具备氮化硅膜，所述氮化硅膜 隔着所述栅极氧化膜设置于所述半导体层中的所述浮动扩散体的上表面。

5.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其特征在于具备：

LDD区域，设置于所述半导体层的上层部分中的所述侧壁的正下方区域；以 及

源极区域及漏极区域，设置于所述上层部分中夹着所述LDD区域的区域且与 该LDD区域相邻。

6.根据权利要求4所述的固态摄像装置，其特征在于：设置于所述光电二极管的上表 面的所述氮化硅膜的膜厚厚于设置于所述浮动扩散体的上表面的所述氮化硅膜。

7.根据权利要求4所述的固态摄像装置，其特征在于：设置于所述光电二极管的上表 面的所述氮化硅膜的膜厚与设置于所述浮动扩散体的上表面的所述氮化硅膜相同。

8.根据权利要求5所述的固态摄像装置，其特征在于：具备氮化硅膜，所述氮化硅膜 设置于所述半导体层中的所述源极区域及所述漏极区域的上表面，且

设置于所述源极区域及所述漏极区域的上表面的所述氮化硅膜的膜厚薄于设 置于所述光电二极管的上表面的所述氮化硅膜。

9.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其特征在于：具备氧化硅膜，该氧化硅膜设 置于所述像素晶体管的栅极的所述光电二极管侧的侧面，且

所述氧化硅膜延伸至所述半导体层中的所述光电二极管的上表面的一部分。

10.根据权利要求1所述的固态摄像装置，其特征在于：设置于所述光电二极管的上表 面的所述氮化硅膜是防止入射光反射的膜。

11.一种固态摄像装置的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

在半导体层上形成栅极氧化膜、像素晶体管的栅极、及周边电路晶体管的栅极；

在所述半导体层内形成光电二极管及浮动扩散体；

在包含所述像素晶体管的栅极与所述周边电路晶体管的栅极的半导体层的上 表面，依次形成氮化硅膜与氧化硅膜；

形成至少选择性地覆盖所述光电二极管的形成区域上的所述氧化硅膜的第1 抗蚀剂；

以所述第1抗蚀剂为遮罩对所述氮化硅膜及所述氧化硅膜进行回蚀而形成侧 壁；

形成至少选择性地覆盖所述半导体层中的除所述第1抗蚀剂的形成区域以外 的区域的一部分的第2抗蚀剂；以及

以所述第2抗蚀剂为遮罩并通过湿式蚀刻去除残留于所述第1抗蚀剂的形成区 域的所述氧化硅膜。

12.根据权利要求11所述的固态摄像装置的制造方法，其特征在于包括以下步骤：在 形成所述第1抗蚀剂的情况下，该第1抗蚀剂的所述像素晶体管的栅极侧的端面到 达所述像素晶体管的栅极的上表面的一部分。