[发明专利]半导体器件及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的操作方法，所述操作方法包括：

将读取电压施加至多个存储块之中的选定存储块的选定字线，所述多个存储块包括耦接在位线与源极线之间的单元串；

通过在选定存储块的单元串中形成通道来检测源极线的电压；

将源极线的电压与对应于选定存储块的参考电压进行比较；以及

当作为比较的结果源极线的电压大于参考电压时，对耦接至选定字线的存储单元执行最低有效位LSB读取操作，并且当作为比较的结果源极线的电压小于参考电压时，对存储单元执行最高有效位MSB读取操作。

2.如权利要求1所述的操作方法，其中，施加读取电压包括：

将通过电压施加至选定存储块的字线之中的除了选定字线之外的剩余字线。

3.如权利要求1所述的操作方法，其中，为存储块中的每个设置参考电压。

4.如权利要求3所述的操作方法，还包括：

对存储块中的每个执行测试操作以为存储块中的每个设置参考电压。

5.如权利要求4所述的操作方法，其中，执行测试操作包括：

预充电位线；

将测试读取电压施加至选定字线并且将通过电压施加至剩余字线以形成通道；

将位线的电压传送至通道；以及

基于源极线的电压来设置参考电压。

6.如权利要求5所述的操作方法，其中，参考电压被设置在从具有LSB编程状态的存储块测量出的源极线电压与从具有MSB编程状态的存储块测量出的源极线电压之间。

7.如权利要求1所述的操作方法，在检测源极线的电压之前，还包括：

产生对应于选定存储块的参考电压。

8.一种半导体器件的操作方法，所述操作方法包括：

将读取电压施加至多个存储块之中的选定存储块的选定字线，所述多个存储块包括耦接在位线与源极线之间的单元串；

通过在选定存储块的单元串中形成通道来检测源极线的电流；

将源极线的电流与对应于选定存储块的参考电流进行比较；以及

当作为比较的结果源极线的电流大于参考电流时，对耦接至选定字线的存储单元执行最低有效位LSB读取操作，并且当作为比较的结果源极线的电流小于参考电流时，对存储单元执行最高有效位MSB读取操作。

9.如权利要求8所述的操作方法，其中，当对选定存储块执行测试操作时，设置参考电流。

10.如权利要求9所述的操作方法，其中，参考电流在测试操作期间设置在当选定存储块具有LSB编程状态时测量出的源极线电流与当选定存储块具有MSB编程状态时测量出的源极线电流之间。

11.如权利要求9所述的操作方法，在检测源极线的电流之前，还包括：

产生对应于选定存储块的参考电流。

12.一种半导体器件，包括：

多个存储块，包括耦接在位线与源极线之间的多个单元串；

外围电路，适用于对所述多个存储块之中的选定存储块执行编程操作、读取操作以及擦除操作；

源极线检查电路，适用于在所述多个存储块之中的选定存储块的读取操作期间测量源极线的电压或电流，将源极线的电压或电流与参考电压或参考电流进行比较，以及输出比较结果；以及

控制电路，适用于控制源极线检查电路以将选定存储块的参考电压或参考电流与源极线的电压或电流进行比较，以及控制外围电路以基于比较结果来对选定存储块执行读取操作，

其中，控制电路控制外围电路以当源极线的电压或电流大于参考电压或参考电流时，对选定存储块的存储单元执行最低有效位LSB读取操作，并且当源极线的电压或电流小于参考电压或参考电流时，对存储单元执行最高有效位MSB读取操作。