[发明专利]钝化保护结构、发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种钝化保护结构，包括：

第一钝化膜，所述第一钝化膜为位于半导体结构的至少一部分表面上方的单层或叠层，

其中，所述第一钝化膜的单层或叠层中的每层包括具有绝缘特性的聚合物层、有机络合物层或其组合而成的复合层中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的钝化保护结构，其中，所述第一钝化膜采用旋涂工艺形成。

3.根据权利要求1所述的钝化保护结构，其中，所述聚合物层由聚硅氮烷、聚硅氧烷或聚酰亚胺中的至少一种组成。

4.根据权利要求1所述的钝化保护结构，其中，所述第一钝化膜接触所述半导体结构的所述至少一部分表面。

5.根据权利要求1所述的钝化保护结构，其中，所述第一钝化膜包括用于暴露所述半导体结构的开口。

6.根据权利要求1所述的钝化保护结构，其中，所述第一钝化膜覆盖所述半导体结构的外表面。

7.根据权利要求1所述的钝化保护结构，还包括：

第二钝化膜，所述第二钝化膜为位于半导体结构的至少一部分表面上方的单层或叠层，

其中，所述第二钝化膜的单层或叠层中的每层包括氧化物层、氮化物层、氮氧化物层中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的钝化保护结构，其中，所述氧化物层、氮化物层、氮氧化物层为第ⅢA、ⅣA、ⅣB中的一种或多种元素的氧化物层、氮化物层、氮氧化物层。

9.根据权利要求8所述的钝化保护结构，其中，所述氧化物层、氮化物层、氮氧化物层为硅或钛的氧化物层、氮化物层、氮氧化物层。

10.根据权利要求7所述的钝化保护结构，其中，所述钝化保护结构包括所述第一钝化膜和所述第二钝化膜的叠层，并且所述第一钝化膜和所述第二钝化膜中的任一个接触所述半导体结构的所述至少一部分表面。

11.根据权利要求7所述的钝化保护结构，其中，所述第一钝化膜和所述第二钝化膜包括用于暴露所述半导体结构的开口。

12.根据权利要求5或11所述的钝化保护结构，其中，所述开口形状为圆形、椭圆形、多边形和不规则图形中的至少一种。

13.根据权利要求1所述的钝化保护结构，其中，所述钝化保护结构的总厚度为0.1微米-10微米。

14.一种发光二极管，包括：

衬底；

在所述衬底上依次形成的第一外延层、第二外延层和第三外延层，所述第一外延层和所述第三外延层分别是彼此相反的第一掺杂类型和第二掺杂类型，所述第二外延层作为有源区；

分别位于所述第一外延层和所述第三外延层上的第一电极和第二电极；以及

第一钝化膜，所述第一钝化膜为位于所述发光二极管的至少一部分表面上方的单层或叠层，

其中，所述第一钝化膜的单层或叠层中的每层包括具有绝缘特性的聚合物层、有机络合物层或其组合而成的复合层中的至少一种。

15.根据权利要求14所述的发光二极管，其中，所述发光二极管包括台阶，所述第一外延层、第二外延层和第三外延层中的至少一个提供所述台阶的侧壁和表面中的至少一部分，

所述第一钝化膜覆盖所述台阶的侧壁的部分的厚度大于覆盖所述台阶的表面的部分厚度。

16.根据权利要求14所述的发光二极管，其中，所述第一钝化膜采用旋涂工艺形成。

17.根据权利要求14所述的发光二极管，其中，所述第一钝化膜接触所述发光二极管的所述至少一部分表面。

18.根据权利要求14所述的发光二极管，其中，所述第一钝化膜覆盖所述发光二极管的外表面。

19.根据权利要求14所述的发光二极管，其中，所述第一钝化膜包括用于暴露发光二极管的电极的开口。

20.根据权利要求14所述的发光二极管，还包括：

第二钝化膜，所述第二钝化膜为位于所述发光二极管的至少一部分表面上方的单层或叠层，

所述第二钝化膜与所述第一钝化膜分别由不同材料组成。