[发明专利]一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法

权利要求书

1.一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法，用于半导体或固体器件制造工艺的蚀刻设备，所述的蚀刻设备包括连接在第一阀门和喷嘴之间的蚀刻液输送管路，其特征在于：

在所述蚀刻液输送管路与喷嘴的连接部设置第二阀门；

所述的避免蚀刻液输送管路结晶的方法包括以下步骤：

第一步：蚀刻工艺开始前，经由第一阀门的A口至C口，向蚀刻液输送管路送入蚀刻液，直至蚀刻液经由第二阀门的A口至C口，充满自第一阀门的C口至喷嘴的全部蚀刻液输送管路，替代蚀刻液输送管路中的蚀刻缓冲液和纯水；

第二步：经由第一阀门的A口至C口，通过蚀刻液输送管路并经由第二阀门的A口至C口，连续输送蚀刻液，完成被蚀刻工件的蚀刻工艺；

第三步：蚀刻工艺结束后，经由第一阀门的B口至C口，向蚀刻液输送管路送入蚀刻缓冲液，替代蚀刻液输送管路中的蚀刻液，直至蚀刻缓冲液经由第二阀门的A口至C口，充满自第一阀门的C口至喷嘴的全部蚀刻液输送管路；

第四步：通过第二阀门B口至C口送入纯水，用纯水替代蚀刻液输送管路中第二阀门C口之后至喷嘴段的蚀刻缓冲液；

其中，所述的蚀刻缓冲液由纯水、超纯盐酸和表面活性剂配制而成，其中，超纯盐酸的用量取决于蚀刻液的酸碱度，通过改变超纯盐酸的用量，调节蚀刻缓冲液的酸碱度使其与蚀刻液一致；表面活性剂的品种和用量要能够保证蚀刻缓冲液浸润被蚀刻工件，并且不会对蚀刻工艺产生影响。

2.根据权利要求1所述的避免蚀刻液输送管路结晶的方法，其特征在于所述的第一阀门和第二阀门均为二进一出型的聚四氟二位三通电磁阀。