[发明专利]用于加工纳米结构铁素体合金的方法和由此产生的物品在审
| 申请号： | 201510743322.X | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN105567927A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | L.C.迪亚尔;R.迪多米齐奥;S.黄 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C21D8/00 | 分类号： | C21D8/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘林华;肖日松 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 加工 纳米 结构 铁素体 合金 方法 由此 产生 物品 | ||
1.一种方法，包括：
在大约1900华氏度之下的第一温度下将一定量的应变引入工件来形成应变工件；
加热所述应变工件至第二温度，其中，所述第二温度为至少大约1900华氏度；以及
在所述第二温度下使所述应变工件变形，
其中，所述工件包括纳米结构铁素体合金（NFA），并且其中，在所述第一温度下引入所述工件的所述一定量的应变在所述第二温度下的所述加热和所述变形期间有效于显著地抑制在所述应变工件中的晶粒生长。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工件包括具有少于大约2微米的平均晶粒大小的晶粒大小分布。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一温度下将一定量的应变引入所述工件包括施加至少大约百分之40的应变。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一温度下将一定量的应变引入所述工件包括在低于大约1英寸/英寸/秒的变形率下使所述工件变形。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一温度范围为从大约1600华氏度至1900华氏度。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二温度范围为从大约1950华氏度至大约2300华氏度。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述应变工件变形包括在至少大约1英寸/英寸/秒的变形率下使所述应变工件变形。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述应变工件变形包括在范围为从大约1英寸/英寸/秒至大约30英寸/英寸/秒的变形率下使所述应变工件变形。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述变形步骤通过压制、锻造、挤压或轧制执行。
10.通过根据权利要求1所述的方法形成的物品。
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