[发明专利]一种刚玉莫来石质漏斗砖的制备方法在审
申请号: | 201510743541.8 | 申请日: | 2015-11-05 |
公开(公告)号: | CN105461329A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 侯兆田;胡竹生;吴国强;杨利强;杨宗平;吴建 | 申请(专利权)人: | 浙江长兴强立耐火材料有限公司 |
主分类号: | C04B35/66 | 分类号: | C04B35/66;C04B35/10;C04B35/185;C04B35/622 |
代理公司: | 杭州丰禾专利事务所有限公司 33214 | 代理人: | 王晓峰 |
地址: | 313100 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刚玉 莫来石质 漏斗 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及耐火材料的制备方法,尤其涉及一种刚玉莫来石质漏斗砖的制备方法。
背景技术
漏斗砖是连接钢包和铸件的保护装置,具有保护钢水不外溢、减少氧化的可能等作用,漏斗砖质量的好坏直接影响铸件的质量,目前市面上的漏斗砖采用的材质较低档,容易被侵蚀,易造成杂质进入钢液,影响铸件的质量。
发明内容
为了解决上述的技术问题,本发明的目的是提供一种实施方便的刚玉莫来石质漏斗砖的制备方法,且该方法生产出来的漏斗砖适用温度高、耐侵蚀、使用寿命长。
为了实现上述目的,本发明采用了以下的技术方案:
一种刚玉莫来石质漏斗砖的制备方法,该漏斗砖的原料组成如下:88级矾土20~50%,棕刚玉20~50%,粘土粉5~15%,体积稳定剂1~3%和结合剂3.5~4.5%,其中88级矾土中5~3mm的颗粒为15~25%;棕刚玉中3~1mm颗粒为20~30%;棕刚玉中1~0mm颗粒为20~30;棕刚玉中总的颗粒为60~70%,棕刚玉中细粉为15~30%;制备方法如下:
破粉碎:将上述原料中颗粒较大的材料在破碎机中进行破粉碎处理;
分级:对各种组分的原料进行粒度分级;
配料:按照上述比例组成配比和粒度级配;
混炼、困料:经过混炼设备的处理,制成各组分各中颗粒均匀分布的坯料,再将坯料困料24小时;
成型:通过压力机的挤压将坯料挤压成型;
自然干燥:将上述成型的漏斗砖放入炕房,干燥24-36小时;
高温烧结:将已经成型的漏斗砖在1300度的温度下进行烧结。
作为优选方案,所述增结合剂采用磷酸。
本发明的作用机理是:(1)刚玉莫氏硬度较高为≥9.0、熔点2250℃、体积密度大,具有良好的抗酸碱侵蚀性,以其作为主要材料,可以提高耐磨材料的耐磨性,同时能够降低加水量,提高强度;通过本发明方法生产的漏斗砖,采用耐火度高的原材料提高了漏斗砖的使用温度,且耐磨性好、抗冲击性好。引入的主材料本身具有较高的硬度和耐磨性;最终使得漏斗砖的使用寿命大幅提高。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步描述。
实施例1
一种刚玉莫来石质漏斗砖的原料组成如下:88级矾土20~50%,棕刚玉20~50%,粘土粉5~15%,体积稳定剂1~3%和结合剂3.5~4.5%,其中88级矾土中5~3mm的颗粒为15~25%;棕刚玉中3~1mm颗粒为20~30%;棕刚玉中1~0mm颗粒为20~30;棕刚玉中总的颗粒为60~70%,棕刚玉中细粉为15~30%;
制备方法如下:破粉碎:将上述原料中颗粒较大的材料在破碎机中进行破粉碎处理;分级:对各种组分的原料进行粒度分级;配料:按照上述比例组成配比和粒度级配;混炼、困料:经过混炼设备的处理,制成各组分各中颗粒均匀分布的坯料,再将坯料困料24小时;成型:通过压力机的挤压将坯料挤压成型;自然干燥:将上述成型的漏斗砖放入炕房,干燥24-36小时;高温烧结:将已经成型的漏斗砖在1300度的温度下进行烧结。所述增结合剂采用磷酸。
实施例2
一种刚玉莫来石质漏斗砖的原料组成如下:88级矾土20~50%,棕刚玉20~50%,粘土粉5~15%,体积稳定剂1~3%和结合剂3.5~4.5%,其中88级矾土中5~3mm的颗粒为15~25%;棕刚玉中3~1mm颗粒为20~30%;棕刚玉中1~0mm颗粒为20~30;棕刚玉中总的颗粒为60~70%,棕刚玉中细粉为15~30%;
制备方法如下:破粉碎:将上述原料中颗粒较大的材料在破碎机中进行破粉碎处理;分级:对各种组分的原料进行粒度分级;配料:按照上述比例组成配比和粒度级配;混炼、困料:经过混炼设备的处理,制成各组分各中颗粒均匀分布的坯料,再将坯料困料24小时;成型:通过压力机的挤压将坯料挤压成型;自然干燥:将上述成型的漏斗砖放入炕房,干燥24-36小时;高温烧结:将已经成型的漏斗砖在1300度的温度下进行烧结。所述增结合剂采用磷酸。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
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