[发明专利]一种石墨烯‑二维贵金属原子簇复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510744170.5 申请日: 2015-11-05
公开(公告)号: CN105413679B 公开(公告)日: 2017-08-15
发明(设计)人: 胡忠良;李雪锋;席柳江;黄志;丁燕鸿 申请(专利权)人: 湖南工业大学
主分类号: B01J23/42 分类号: B01J23/42;B01J23/46;H01M4/90;H01M4/92;H01M8/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 412007 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 石墨 二维 贵金属 子簇 复合材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种石墨烯-二维贵金属原子簇复合材料,其特征在于贵金属原子在石墨烯表面上以二维原子簇形式沉积,即在垂直石墨烯层面上沉积的贵金属原子厚度超薄,具单层或双层原子厚度,而在石墨烯层面上沉积的贵金属原子具有数个纳米大小,其是由以下步骤制备而得:

第一步,将天然石墨氧化形成氧化石墨,将氧化石墨在水溶液中超声分散形成氧化石墨溶液;

第二步,将氧化石墨烯溶液滴于玻璃电极表面,慢慢干燥;

第三步,将玻璃电极浸入介导金属Pb或Cu离子和贵金属离子的混合溶液中,将玻璃电极在某一电位区间进行金属的欠电位沉积、溶出剥离;

第四步,在该电位区间将玻璃电极反复进行伏安曲线扫描,经过多次欠电位沉积、溶出剥离,最后将沉积了贵金属的玻璃电极用蒸馏水洗涤干净。

2.根据权利要求1所述石墨烯-二维贵金属原子簇复合材料,其特征在于:石墨烯复合材料制备方法第三、四步,其特征在于:在进行的欠电位沉积及溶出剥离的的反应需要在Ar、N2、He气体条件下进行。

3.根据权利要求1所述的石墨烯-二维贵金属原子簇复合材料,其特征在于:所述介导金属离子Pb2+、Cu2+的浓度为0.5~50 mM,贵金属离子的浓度为0.001~0.5 mM,且介导金属离子的浓度是贵金属离子总浓度的20~200倍。

4.根据权利要求1所述的石墨烯-二维贵金属原子簇复合材料,其特征在于:所述贵金属前驱体为Pt2+、Pd2+、Ru3+、Ag+的离子或几种离子的组合。

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