[发明专利]闪烁体面板及放射线检测器有效

专利信息
申请号: 201510745206.1 申请日: 2015-11-05
公开(公告)号: CN105572714B 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: 长谷川敦;前田景子 申请(专利权)人: 柯尼卡美能达株式会社
主分类号: G01T1/202 分类号: G01T1/202
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 闪烁 体面 放射线 检测器
【权利要求书】:

1.一种闪烁体面板,其特征在于,包括支承体和形成在所述支承体上的闪烁体层,

所述闪烁体层含有作为柱状晶体的荧光体,

所述柱状晶体在从所述闪烁体层的柱状晶体生长起始面到柱状晶体生长结束面为止的闪烁体层的整个厚度方向上形成,

对于所述闪烁体层,在切削到距柱状晶体生长起始面的厚度变成5μm以后,向柱状晶体生长结束面照射X射线而进行测定时的柱状晶体的特定面的X射线摇摆曲线的半值宽度a为15°以下,

在未进行切削的情况下向柱状晶体生长结束面照射X射线而进行测定时的柱状晶体的特定面的X射线摇摆曲线的半值宽度b为15°以下,

半值宽度a相对于所述半值宽度b的比率a/b为0.5~2.0。

2.如权利要求1所述的闪烁体面板,其特征在于,

所述比率a/b为0.9~1.1。

3.如权利要求1所述的闪烁体面板,其特征在于,

在所述半值宽度a及所述半值宽度b中,

在所述半值宽度a大的情况下,相对于闪烁体层成为支承体侧的面为放射线入射面,

在所述半值宽度b大的情况下,相对于闪烁体层成为非支承体侧的面为放射线入射面。

4.如权利要求1~3中任一项所述的闪烁体面板,其特征在于,

所述特定面为(200)面。

5.如权利要求1~3中任一项所述的闪烁体面板,其特征在于,

所述荧光体为立方晶系碱金属卤化物荧光体。

6.如权利要求1~3中任一项所述的闪烁体面板,其特征在于,

所述荧光体为由铊化物激活的碘化铯,即CsI:Tl。

7.一种放射线检测器,其特征在于,

包括权利要求1~6中任一项所述的闪烁体面板和光电转换元件面板。

8.一种放射线检测器,其特征在于,包括光电转换元件面板和形成在所述光电转换元件面板上的闪烁体层,

所述闪烁体层含有作为柱状晶体的荧光体,

所述柱状晶体在从所述闪烁体层的柱状晶体生长起始面到柱状晶体生长结束面为止的闪烁体层的整个厚度方向上形成,

对于所述闪烁体层,在切削到距柱状晶体生长起始面的厚度变成5μm以后,向柱状晶体生长结束面照射X射线而进行测定时的柱状晶体的特定面的X射线摇摆曲线的半值宽度a为15°以下,

在未进行切削的情况下向柱状晶体生长结束面照射X射线而进行测定时的柱状晶体的特定面的X射线摇摆曲线的半值宽度b为15°以下,

半值宽度a相对于所述半值宽度b的比率a/b为0.5~2.0。

9.如权利要求8所述的放射线检测器,其特征在于,

所述比率a/b为0.9~1.1。

10.如权利要求8或9所述的放射线检测器,其特征在于,

在所述半值宽度a及所述半值宽度b中,

在所述半值宽度a大的情况下,相对于闪烁体层成为光电转换元件面板侧的面为放射线入射面,

在所述半值宽度b大的情况下,相对于闪烁体层成为非光电转换元件面板侧的面为放射线入射面。

11.如权利要求8或9所述的放射线检测器,其特征在于,

所述特定面为(200)面。

12.如权利要求8或9所述的放射线检测器,其特征在于,

所述荧光体为立方晶系碱金属卤化物荧光体。

13.如权利要求8或9所述的放射线检测器,其特征在于,

所述荧光体为由铊化物激活的碘化铯,即CsI:Tl。

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