[发明专利]一种电磁辐射下的神经元电活动模拟器

权利要求书

1.一种电磁辐射下的神经元电活动模拟器，包括神经元电路，其特征在于，还包括电磁辐射效应电路和加法器，且电磁辐射效应电路的输入端分别与神经元电路的输出端、等效外界磁通连接，以输入神经元响应即膜电位x和等效外界磁通量φ_ext，电磁辐射效应电路的输出端与加法器连接，输出电磁辐射效应电路对神经元的电磁辐射作用i与流入神经元细胞膜的离子电流I_ext经加法器求和后，接入神经元电路neuron的输入端，本神经元电活动模拟器工作稳定后输出包含电磁记忆效应的神经元响应即膜电位x。

2.如权利要求1所述的电磁辐射下的神经元电活动模拟器，其特征在于，电磁辐射效应电路包括：电阻Rm1～12，运放U11B、U11C、U11D，电容Cm1，乘法器Um1、Um2；

连接关系为：

电阻Rm2一端与运放U11B的同向输入端连接，另一端并入电阻Rm6与电阻Rm7之间；Rm3一端与运放U11B的反向输入端连接，另一端输入神经元的膜电位x；Rm1一端与运放U11B的反向输入端连接，另一端输入等效外界磁通φ_ext；Rm4的两端分别与运放U11B的输出端和反向输入端连接；

Rm5的两端分别与运放U11B的输出端、运放U11C的反向输入端连接；运放U11C的正向输入端接地，电容Cm1的两端分别与运放U11C的反向输入端和输出端连接；运放U11C的输出端串接Rm6和Rm7后接地；

乘法器Um2的输入端与运放U11C的输出端连接，乘法器Um2的输出端串接Rm8和Rm10后与运放U11D的反向输入端连接，Rm9的一端接地、另一端并入Rm8与Rm10之间，Rm11的一端接入电源正极、另一端与运放U11D的反向输入端连接，Rm12的两端分别与运放U11D的反向输入端和输出端连接；乘法器Um1的输入端分别与运放U11D的输出端、神经元的膜电位x连接，乘法器Um1的输出端输出电磁辐射作用i。