[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 201510747158.X | 申请日: | 2015-11-05 |
公开(公告)号: | CN105204258A | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 臧鹏程;李挺;徐元杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底、阵列电路结构和遮光层;
所述阵列电路结构位于所述衬底的一侧,并在所述阵列基板的显示区内预设的若干个像素开口区域内透明;
在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内,所述遮光层覆盖所述阵列电路结构。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列电路结构在所述像素开口区域内设有由第一绝缘层间隔开的条状电极与板状电极。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列电路结构包括依次形成的晶体管器件层、第一透明导电层、所述第一绝缘层和第二透明导电层;
所述第一透明导电层包括所述板状电极的图形;所述第二透明导电层包括所述条状电极的图形。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述晶体管器件层包括依次形成的第一导电层、第二绝缘层、半导体层和第二导电层;其中,
所述第一导电层包括多条扫描线的图形;所述第二导电层包括多条数据线的图形;任一所述像素开口区域内的板状电极经过一个第一晶体管的源电极和漏电极与一条所述数据线相连,该第一晶体管的栅电极与一条所述扫描线相连;
所述第一导电层还包括所述第一晶体管的栅电极的图形;所述半导体层包括所述第一晶体管的有源区的图形;所述第二导电层还包括所述第一晶体管的源电极和漏电极的图形。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内覆盖所述遮光层的第三透明导电层。
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述衬底与所述阵列电路结构之间还设有彩色滤光层;
所述彩色滤光层在每一所述像素开口区域内具有多种预定颜色中的一种。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述彩色滤光层与所述阵列电路结构之间还设有平坦化层。
8.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底的一侧形成阵列电路结构;所述阵列电路结构在显示区内预设的若干个像素开口区域内透明;
在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内,形成覆盖所述阵列电路结构的遮光区。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述阵列电路结构在所述像素开口区域内设有由第一绝缘层间隔开的条状电极与板状电极。
10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述在衬底的一侧形成阵列电路结构,包括:
在所述衬底的第一侧形成晶体管器件层;
在所述晶体管器件层上形成第一透明导电层;所述第一透明导电层包括所述板状电极的图形;
在所述晶体管器件层和所述第一透明导电层上形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成第二透明导电层;所述第二透明导电层包括所述条状电极的图形。
11.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述在所述衬底的第一侧形成晶体管器件层,包括:
在所述衬底的第一侧形成第一导电层;所述第一导电层包括多条扫描线的图形,以及第一晶体管的栅电极的图形;
形成覆盖所述第一导电层的第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上形成半导体层;所述半导体层包括所述第一晶体管的有源区的图形;
在所述第二绝缘层和所述半导体层上形成第二导电层;所述第二导电层包括所述第一晶体管的源电极和漏电极的图形,以及多条数据线的图形;
其中,任一所述像素开口区域内的板状电极经过一个所述第一晶体管的源电极与漏电极与一条所述数据线相连,该第一晶体管的栅电极与一条所述扫描线相连。
12.根据权利要求8至11中任意一项所述的制作方法,其特征在于,在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内,形成覆盖所述阵列电路结构的遮光区之后,还包括:
在除了若干个所述像素开口区域之外的显示区内,形成覆盖所述遮光层的第三透明导电层。
13.根据权利要求8至11中任意一项所述的制作方法,其特征在于,所述在衬底的第一侧形成阵列电路结构之前,还包括:
在所述衬底的第一侧形成彩色滤光层;
其中,所述彩色滤光层在每一所述像素开口区域内具有多种预定颜色中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510747158.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:便携式电子装置
- 下一篇:一种纳米级氧化膜的电化学定量表征方法