[发明专利]制造硅锭的方法和硅锭

权利要求书

1.一种硅锭的丘克拉斯基生长的方法，该方法包括：

在坩埚中将硅材料和n型掺杂剂材料的混合物熔化；

在提取时间段期间从熔融硅提取硅锭；以及

在提取时间段的至少一个子时段期间用附加n型掺杂剂材料来掺杂硅锭。

2.权利要求1的方法，其中，所述附加n型掺杂剂材料是磷。

3.权利要求1的方法，其中，通过气相掺杂技术用附加n型掺杂剂材料来掺杂硅锭。

4.权利要求3的方法，还包括控制掺杂剂前体气体到包括硅锭的反应室中的进入。

5.权利要求1的方法，其中，用附加n型掺杂剂材料来掺杂硅锭包括在坩埚中熔化n型掺杂剂源材料。

6.权利要求5的方法，其中，通过调整n型掺杂剂源材料到熔融硅中的深度来用附加n型掺杂剂材料掺杂硅锭，该n型掺杂剂源材料包括附加n型掺杂剂材料。

7.权利要求6的方法，其中，调整被浸到坩埚中的熔融硅中的n型掺杂剂源材料的深度包括测量n型掺杂剂源材料的重量。

8.权利要求5的方法，其中，所述n型掺杂剂源材料采用一个或多个棒的形状。

9.权利要求5的方法，其中，所述n型掺杂剂源材料由被用附加n型掺杂剂材料掺杂的石英或碳化硅制成。

10.权利要求1的方法，其中，附加n型掺杂剂材料到n型掺杂剂源材料的深度中的浓度分布在n型掺杂剂源材料的表面下面具有峰值。

11.权利要求10的方法，其中，向n型掺杂剂源材料中引入n型掺杂剂材料是通过过程就地掺杂、通过n型掺杂剂源材料的表面的等离子体沉积、通过n型掺杂剂源材料的表面的离子注入和通过n型掺杂剂源材料的表面的扩散中的至少一个来执行。

12.权利要求1的方法，还包括在无掺杂与最大掺杂之间改变在提取时间段期间用附加n型掺杂剂材料来掺杂硅锭的程度。

13.权利要求1的方法，还包括将硅锭中的净n型掺杂设定在1×10¹³cm^-3与1×10¹⁵cm^-3之间。

14.权利要求1的方法，还包括经由p型掺杂剂源材料或者通过气相掺杂技术中的至少一个而通过向硅熔体添加p型掺杂剂材料来用p型掺杂剂材料掺杂硅锭。

15.权利要求13的方法，其中，所述p型掺杂剂材料是硼、铝和镓中的至少一个。

16.权利要求14的方法，其中，通过气相掺杂技术用p型掺杂剂材料来掺杂硅锭。

17.权利要求1的方法，其中，用p型掺杂剂材料来掺杂硅锭包括在坩埚中熔化p型掺杂剂源材料。

18.权利要求17的方法，其中，通过调整p型掺杂剂源材料到熔融硅中的深度来用p型掺杂剂材料掺杂硅锭，该p型掺杂剂源材料包括附加n型掺杂剂材料。

19.权利要求17的方法，其中，调整被浸到坩埚中的熔融硅中的p型掺杂剂源材料的深度包括测量p型掺杂剂源材料的重量。

20.权利要求17的方法，其中，p型掺杂剂源材料采用一个或多个棒的形状。

21.权利要求17的方法，其中，所述p型掺杂剂源材料由被用附加n型掺杂剂材料掺杂的石英或碳化硅制成。

22.权利要求17的方法，其中，p型掺杂剂材料到p型掺杂剂源材料的深度中的浓度分布在p型掺杂剂源材料的表面下面具有峰值。

23.权利要求17的方法，其中，向p型掺杂剂源材料中引入p型掺杂剂材料是通过过程就地掺杂、通过p型掺杂剂源材料的表面的等离子体沉积、通过p型掺杂剂源材料的表面的离子注入和通过p型掺杂剂源材料的表面的扩散中的至少一个来执行。

24.权利要求17的方法，还包括在无掺杂与最大掺杂之间改变在提取时间段期间用附加n型掺杂剂材料来掺杂硅锭的程度。

25.一种硅锭，其中，沿着硅锭的相对末端之间的轴的比电阻具有至少一个拐点，在那里，比电阻的凹度沿着该轴改变。