[发明专利]一种离子束双过滤沉积技术制备手机屏幕抗划伤氧化铝涂层的方法

权利要求书

1.一种离子束双过滤沉积技术制备手机屏幕抗划伤氧化铝涂层的方法，其特征为：

(a)采用金属真空蒸汽离子源(MEVVA)注入方法，在玻璃表面注入金属元素，形成金属“钉扎层”，注入剂量为200-500mc，注入能量为6-12kV；

(b)在所述金属“钉扎层”之上，采用双磁过滤金属真空弧沉积(FCVA)系统，沉积得到膜层为α-Al₂O₃膜，硬度为12-23GPa，同时膜层结构包括离子注入钉扎层和Al₂O₃膜层。

2.根据权利要求1离子束双过滤沉积技术制备手机屏幕抗划伤氧化铝涂层的方法，其特征在于：所述的双磁过滤等离子体沉积技术为离子注入技术、阴极弧沉积技术、双磁过滤技术、偏压技术以及氧气流量控制技术相结合的沉积技术。

3.根据权利要求1离子束双过滤沉积技术制备手机屏幕抗划伤氧化铝涂层的方法，离子注入钉扎层的特征在于：所述钉扎层是金属真空蒸汽离子源(MEVVA)注入技术，所用金属离子为Ni、Ti、Cr，注入剂量为200-500mc，注入电压为6-12kV，注入深度为10-100nm。

4.根据权利要求1离子束双过滤沉积技术制备手机屏幕抗划伤氧化铝涂层的方法，Al₂O₃沉积技术为双磁过滤等离子体沉积技术，其特征在于：磁过滤阴极靶材为Al，沉积弧流为80-120A，弯管电流为1.5-2.5A，负偏压为100-400V，Al₂O₃膜的厚度为350-500nm。

5.根据权利要求1离子束双过滤沉积技术制备手机屏幕抗划伤氧化铝涂层的方法，其沉积过程特征为：金属等离子体和氧等离子共同沉积形成，表现为刚玉型Al₂O₃结构。

6.根据权利要求1离子束双过滤沉积技术制备手机屏幕抗划伤氧化铝涂层的方法，其特征在于：

氧等离子体是含氧的气体源在磁场的作用下受金属等离子体束流激发而离化为氧等离子体，气体进气量为10-70sccm；

离化过程在双磁过滤弯管中进行，离化率完全由金属等离子体束流强度决定。

7.根据权利要求1所述离子束双过滤沉积技术制备手机屏幕抗划伤氧化铝涂层的方法，Al₂O₃膜层特征在于：

膜层具备抗划伤能力，同时具有非常好的盐溶液抗腐蚀性，使其不会被人体的汗水所腐蚀。