[发明专利]一种防止连接器接触短路的电路结构

权利要求书

1.一种防止连接器接触短路的电路结构，其特征在于，包括平板、底座、连接器和防短路电路；

连接器包括相匹配的第一接头和第二接头；防短路电路安装在底座内部，第一接头安装在底座上且第二接头安装在平板上，或者，防短路电路安装在平板内部，第一接头安装在平板上且第二接头安装在底座上；

防短路电路包括第一供电端子(VCC1)、第二供电端子(VCC2)、选通模块、常开模块和触发模块，第一供电端子(VCC1)可与电源连接，并通过选通模块连接第二供电端子(VCC2)，第二供电端子(VCC2)通过常开模块连接触发模块，触发模块连接选通模块；常开模块包括第一电位点(P1)和第二电位点(A1)，常开模块具有闭合和断开两种状态，常开模块闭合状态下，第一电位点(P1)和第二电位点(A1)导通，触发模块向选通模块发送电信号，选通模块导通，第一供电端子与第二供电端子导通；常开模块断开状态下，第一电位点(P1)和第二电位点(A1)断开，选通模块截止，第一供电端子与第二供电端子断开；

第一接头和第二接头均具有电源引脚和接地引脚，第一接头的电源引脚与第二供电端子连接并作为常开模块的第一电位点(P1)；当第一接头与第二接头连接且第一接头的电源引脚与第二接头的电源引脚对接，第二接头的电源引脚连接在第一电位点(P1)和第二电位点(A1)之间，常开模块闭合。

2.如权利要求1所述的防止连接器接触短路的电路结构，其特征在于，防短路电路还包括第二电阻(R2)和第三电阻(R3)；选通模块包括第一MOSET管(Q1)和第二MOSET管(Q2)，第一MOSET管(Q1)为P型MOS管，第二MOSET管(Q2)为N型MOS管；第一MOSET管(Q1)S极连接第一供电端子(VCC1)，其D极连接第二供电端子(VCC2)，其G极通过第三电阻(R3)连接第一供电端子(VCC1)；第二电位点(A1)连接第二电阻(R2)第一端，第二电阻(R2)第二端接地；触发模块输入端连接第二电阻(R2)第一端，其输出端连接第二MOSET管(Q2)G极；第二MOSET管(Q2)S极接地，其D极连接第一MOSET管(Q1)G极。

3.如权利要求2所述的防止连接器接触短路的电路结构，其特征在于，第二电阻(R2)与第二电位点(A1)之间串联有第一电阻(R1)。

4.如权利要求2所述的防止连接器接触短路的电路结构，其特征在于，触发模块采用EC芯片。

5.如权利要求1所述的防止连接器接触短路的电路结构，其特征在于，防短路电路安装在底座内部，第一接头安装在底座上且第二接头安装在平板上，且第一接头为母头，第二接头为公头。