[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板，包括第一导电类型的有源区；

在所述有源区中的第二导电类型的漂移区；

覆盖所述有源区并在所述漂移区上的栅极；

设置在所述有源区和所述栅极之间的栅绝缘膜；

在所述漂移区中的第二导电类型的漏极区，与所述栅极间隔开并具有比 所述漂移区高的掺杂浓度；

第一导电类型的浅阱区，在所述栅极和所述漏极区之间并与所述漏极区 间隔开，并在所述漂移区中；和

第二导电类型的源极区，在所述栅极和所述漏极区之间的所述浅阱区中 并具有比所述浅阱区高的掺杂浓度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括覆盖所述栅极的侧表面的 绝缘间隔物，

其中所述源极区邻近所述绝缘间隔物并与所述栅极间隔开，所述栅绝缘 膜和所述绝缘间隔物在所述源极区和所述栅极之间。

3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述浅阱区中的第一导 电类型的体接触区，所述体接触区在所述源极区和所述漏极区之间并与所述 漏极区间隔开。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述基板包括：

主表面；和

鳍型半导体区，从所述主表面突出并在平行于所述基板的主表面的第一 方向上延伸，

其中所述有源区被限定在所述鳍型半导体区中。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述栅极在所述基板上、在 交叉所述有源区的第二方向上延伸。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述栅极包括面对所述有源 区的两个侧表面的第一竖直栅单元和第二竖直栅单元，

所述栅绝缘膜在所述第一竖直栅单元与所述有源区的所述两个侧表面 之一之间，并在所述第二竖直栅单元与所述有源区的所述两个侧表面中的另 一个之间。

7.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述栅极包括第一竖直栅单 元、第二竖直栅单元和一体连接到所述第一竖直栅单元和第二竖直栅单元的 水平栅单元，

所述第一竖直栅单元和第二竖直栅单元面对所述有源区的两个侧表面， 所述栅绝缘膜在所述第一竖直栅单元和第二竖直栅单元与所述有源区的所 述两个侧表面之间，和

所述水平栅单元面对所述有源区的上表面，所述栅绝缘膜在所述水平栅 单元与所述有源区的所述上表面之间。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述基板是体基板，其中所 述栅极是形成在所述体基板上的平面型栅极。

9.一种半导体器件，包括：

基板，包括第一导电类型的有源区；

在所述有源区中的第二导电类型的漂移区；

栅极区，包括覆盖所述有源区并在所述漂移区上的至少一个栅极；

设置在所述有源区和所述至少一个栅极之间的至少一个栅绝缘膜；

第一导电类型的第一浅阱区和第二浅阱区，在所述漂移区中并彼此间隔 开，其中所述栅极区在所述第一浅阱区和所述第二浅阱区之间；

第二导电类型的第一源极区，在所述第一浅阱区中并具有比所述第一浅 阱区高的掺杂浓度；

第二导电类型的第二源极区，在所述第二浅阱区中并具有比所述第二浅 阱区高的掺杂浓度；和

第二导电类型的第一漏极区和第二漏极区，在所述漂移区中并彼此间隔 开且与所述栅极区间隔开，其中所述第一浅阱区和第二浅阱区在所述第一漏 极区和第二漏极区之间，所述第一漏极区和第二漏极区具有比所述漂移区高 的掺杂浓度。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述栅极区包括公用栅极， 所述半导体器件包括：

第一横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管，包括在所述漂移 区中的所述第一源极区和第一漏极区；和

第二横向扩散金属氧化物半导体晶体管，包括在所述漂移区中的所述第 二源极区和第二漏极区，

其中所述公用栅极由所述第一横向扩散金属氧化物半导体晶体管和第 二横向扩散金属氧化物半导体晶体管共用。