[发明专利]热电体、热电元件、热电转换元件及其制造方法

权利要求书

1.一种热电体，其特征在于，包括：

包含铁、锰、铋和钆的氧化物，

所述氧化物具有钙钛矿型晶体结构，

在所述氧化物中，所述钆的原子数相对于A位元素的原子数的 总和的比为8.0原子％以上18原子％以下。

2.根据权利要求1所述的热电体，其特征在于，

在所述氧化物中，所述锰的原子数相对于B位元素的原子数的 总和的比为1.0原子％以上2.0原子％以下。

3.根据权利要求1或2所述的热电体，其特征在于，

在所述氧化物中，钛的原子数相对于B位元素的原子数的总和 的比为0原子％以上4.0原子％以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的热电体，其特征在于，

所述热电体在-40℃以上40℃以下范围内的环境温度下使用。

5.一种热电元件，其特征在于，具备：

第一电极；

根据权利要求1至4中任一项所述的热电体；以及

第二电极。

6.一种热电元件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

层叠第一电极、根据权利要求1至4中任一项所述的热电体和 第二电极。

7.一种热电转换元件，其特征在于，具有：

根据权利要求5所述的热电元件；

光吸收层；以及

绝缘层，设置在所述热电元件和所述光吸收层之间。

8.一种热电转换元件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

形成根据权利要求5所述的热电元件；以及

形成隔着绝缘层覆盖所述热电元件的至少一部分的光吸收层。

9.一种热式光检测器，其特征在于，具备：

根据权利要求5所述的热电元件。

10.一种热式光检测器，其特征在于，具备：

使用根据权利要求6所述的热电元件的制造方法而制造的热电 元件。

11.一种热式光检测器的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

准备具有基板和牺牲层的基座构件；

在所述基座构件的设置有所述牺牲层一侧的表面上形成支承构 件；

在所述支承构件上形成根据权利要求5所述的热电元件；

形成隔着绝缘层覆盖所述热电元件的外表面的光吸收层；

将所述支承构件图案化；以及

蚀刻所述牺牲层。

12.一种电子设备，其特征在于，具备：

根据权利要求9或10所述的热式光检测器。

13.一种电子设备，其特征在于，具备：

使用根据权利要求11所述的热式光检测器的制造方法而制造 的热式光检测器。